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    Impact of supercoupling effect on mobility enhancement in UTBB SOI in dynamic threshold mode
    Sasaki, K. ; Navarro, C. ; et al.
    In: 2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.science/hal-02004218 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.9a.5, ⟨10.1109/S3S.2015.7333547⟩, 2015
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of supercoupling effect on mobility enhancement in UTBB SOI in dynamic threshold mode
    Sasaki, K. ; Navarro, C. ; et al.
    In: 2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.science/hal-02004218 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.9a.5, ⟨10.1109/S3S.2015.7333547⟩, 2015
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of supercoupling effect on mobility enhancement in UTBB SOI in dynamic threshold mode
    Sasaki, K. ; Navarro, C. ; et al.
    In: 2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.science/hal-02004218 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.9a.5, ⟨10.1109/S3S.2015.7333547⟩, 2015
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of supercoupling effect on mobility enhancement in UTBB SOI in dynamic threshold mode
    Sasaki, K. ; Navarro, C. ; et al.
    In: 2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02004218 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.9a.5, ⟨10.1109/S3S.2015.7333547⟩, 2015
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of supercoupling effect on mobility enhancement in UTBB SOI in dynamic threshold mode
    Sasaki, K. ; Navarro, C. ; et al.
    In: 2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.science/hal-02004218 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.9a.5, ⟨10.1109/S3S.2015.7333547⟩, 2015
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultrahigh-Sensitive and CMOS Compatible ISFET Developed in BEOL of Industrial UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; Monfray, Stephane ; et al.
    In: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02047342 ; 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, United States. pp.97-98, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultrahigh-Sensitive and CMOS Compatible ISFET Developed in BEOL of Industrial UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; Monfray, Stephane ; et al.
    In: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02047342 ; 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, United States. pp.97-98, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultrahigh-Sensitive and CMOS Compatible ISFET Developed in BEOL of Industrial UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; Monfray, Stephane ; et al.
    In: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02047342 ; 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, United States. pp.97-98, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultrahigh-Sensitive and CMOS Compatible ISFET Developed in BEOL of Industrial UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; Monfray, Stephane ; et al.
    In: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02047342 ; 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, United States. pp.97-98, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultrahigh-Sensitive and CMOS Compatible ISFET Developed in BEOL of Industrial UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; Monfray, Stephane ; et al.
    In: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02047342 ; 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, United States. pp.97-98, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultrahigh-Sensitive and CMOS Compatible ISFET Developed in BEOL of Industrial UTBB FDSOI
    AYELE, Getenet Tesega ; Monfray, Stephane ; et al.
    In: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02047342 ; 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, United States. pp.97-98, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Impact of VT and Body-Biasing on Resistive short detection in 28nm UTBB FDSOI – LVT and RVT configurations
    Karel, Amit ; Comte, Mariane ; et al.
    In: International Symposium on Very Large Scale Integration ; ISVLSI: International Symposium on Very Large Scale Integration, 2016
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact of VT and Body-Biasing on Resistive short detection in 28nm UTBB FDSOI – LVT and RVT configurations
    Karel, Amit ; Comte, Mariane ; et al.
    In: International Symposium on Very Large Scale Integration ; ISVLSI: International Symposium on Very Large Scale Integration, 2016
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Key parameters of BiMOS ESD protection device for UTBB FDSOI advanced technology
    Athanasiou, S. ; Cristoloveanu, S. ; et al.
    In: 2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.science/hal-02004284 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.10a.3, ⟨10.1109/S3S.2015.7333482⟩, 2015
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Key parameters of BiMOS ESD protection device for UTBB FDSOI advanced technology
    Athanasiou, S. ; Cristoloveanu, S. ; et al.
    In: 2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.science/hal-02004284 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.10a.3, ⟨10.1109/S3S.2015.7333482⟩, 2015
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Key parameters of BiMOS ESD protection device for UTBB FDSOI advanced technology
    Athanasiou, S. ; Cristoloveanu, S. ; et al.
    In: 2015 S3S Proceedings ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02004284 ; 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2015, Rohnert Park, United States. pp.10a.3, ⟨10.1109/S3S.2015.7333482⟩, 2015
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    UTBB FD-SOI front- and back-gate coupling aware random telegraph signal impact analysis on a 6T SRAM
    Akyel, K.C ; Ciampolini, L. ; et al.
    In: 2014 S3S Proceedings ; 2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02049387 ; 2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2014, Millbrae, United States. pp.7a.3, ⟨10.1109/S3S.2014.7028222⟩, 2014
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    UTBB FD-SOI front- and back-gate coupling aware random telegraph signal impact analysis on a 6T SRAM
    Akyel, K.C ; Ciampolini, L. ; et al.
    In: 2014 S3S Proceedings ; 2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02049387 ; 2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2014, Millbrae, United States. pp.7a.3, ⟨10.1109/S3S.2014.7028222⟩, 2014
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    UTBB FD-SOI front- and back-gate coupling aware random telegraph signal impact analysis on a 6T SRAM
    Akyel, K.C ; Ciampolini, L. ; et al.
    In: 2014 S3S Proceedings ; 2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02049387 ; 2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2014, Millbrae, United States. pp.7a.3, ⟨10.1109/S3S.2014.7028222⟩, 2014
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    UTBB FD-SOI front- and back-gate coupling aware random telegraph signal impact analysis on a 6T SRAM
    Akyel, K.C ; Ciampolini, L. ; et al.
    In: 2014 S3S Proceedings ; 2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02049387 ; 2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2014, Millbrae, United States. pp.7a.3, ⟨10.1109/S3S.2014.7028222⟩, 2014
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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