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26.021 Treffer

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    The Impacts of Different Electrode Structures on the Device Performance of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 Heterostructure Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors
    Liu, Y. ; Wang, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1010-1017
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Physics-Based Compact I–V Model for δ-Doped β-(AlxGa1−x)₂O₃/Ga₂O₃ HFET Involving Parallel Conduction
    Patnaik, A. ; Jaiswal, N.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 5242-5248
    Online academicJournal
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    High-Performance 1-V IGZO Thin-Film Transistors Gated With Aqueous and Organic Electrolyte-Anodized AlxOy
    Lin, X. ; Xin, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-02-01), Heft 2, S. 537-543
    Online academicJournal
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    Suppression of Drain Current Leakage and Short-Channel Effect in Lateral Ga2O3 RF MOSFETs Using (AlxGa1-x)2O3 Back-Barrier
    Ohtsuki, T. ; Kamimura, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1829-1832
    Online academicJournal
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    Formation of Spontaneous Lateral Heterostructures in High Al content Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N Alloys Grown by High-Temperature Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
    Sarney, Wendy L. ; Ji, Mihee ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 53 (2024-06-01), Heft 6, S. 2789-2797
    Online academicJournal
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    Structural, Electronic, Mechanical and Thermal Properties of Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi (0 ≤ x ≤ 2) High Entropy Alloy Using Density Functional Theory
    Tabassum, Nabila ; Sistla, Yamini Sudha ; et al.
    In: Metals and Materials International, 2024-05-30, S. 1-21
    Online academicJournal
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    Microstructure Evolution and Microhardness of Al<subscript>x</subscript>Ni<subscript>2−x</subscript>CoCrFe Alloys After Long-Time Annealing
    Wu, Changjun ; Ding, Zhiyan ; et al.
    In: Transactions of the Indian Institute of Metals, 2024-04-16, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Oxidation Behavior of Al<subscript>x</subscript>HfNbTiVY<subscript>0.05</subscript> Refractory High-Entropy Alloys at 700–900 °C
    Muhammad, Fadhli ; Sukhomlinov, Dmitry ; et al.
    In: High Temperature Corrosion of Materials: Formerly Oxidation of Metals, 2024-04-16, S. 1-24
    Online academicJournal
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    Study of a Semiconductor Disk Laser with a Wavelength of 780 nm Based on a Heterostructure with Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>As/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>y</subscript>As Quantum Wells under Optical Pumping with Different Radiation Wavelengths
    Kozlovskii, V. I. ; Zhenishbekov, S. M. ; et al.
    In: Bulletin of the Lebedev Physics Institute, Jg. 50 (2023-12-01), Heft Suppl 12, S. S1348- (8S.)
    Online academicJournal
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    Effects of Substrate Bias Voltage on Structural and Optical Properties of Co-Sputtered (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1–x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Films
    Gao, Yan ; Dong, Haitao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-11-01), Heft 11, S. 7429-7437
    Online academicJournal
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    Low Resistance Ohmic Contact on Epitaxial MOVPE Grown β-Ga2O3 and β-(AlxGa1−x)2O3 Films
    Alema, F. ; Peterson, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1649-1652
    Online academicJournal
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    Design of kV-Class and Low RON E-Mode β-Ga2O3 Current Aperture Vertical Transistors With Delta-Doped β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 Heterostructure
    Wang, D. ; Mudiyanselage, D.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 5795-5802
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    Influence of Highly Efficient Carbon Doping on Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As Layers with Different Al Compositions (x) Grown by MOVPE
    Perkitel, Izel ; Kekül, Reyhan ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-09-01), Heft 9, S. 6042-6051
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    Role of Device Parameters in Optimizing 2DEG Charge Density in β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 HFET: An Analytical Approach
    Patnaik, A. ; Jaiswal, N.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 3876-3883
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    Permian tectonic switch of the southern Central Asian Orogenic Belt: Constraints from magmatism in the southern Alxa region, NW China
    Erteng, Wang ; Xinwei, Zhai ; et al.
    In: Open Geosciences, Jg. 16 (2024-03-01), Heft 1, S. 1-13
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    Microstructure and properties of AlxCoCrFeNi high entropy alloys fabricated by laser additive manufacturing
    Liying, YU ; Chen, WANG ; et al.
    In: Cailiao gongcheng, Jg. 52 (2024), Heft 1, S. 220-230
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    The effect of Fe<subscript>Ga</subscript> (0/–) level presence on material properties in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N layers.
    Sun, L. ; Kruszewski, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-05-07), Heft 17, S. 1-7
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    Effect of Al Content on Microstructure and Mechanical Properties of the fcc and bcc Phases of Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi High Entropy Alloys
    Shang, Genfeng ; Wang, Jingjing ; et al.
    In: Metals and Materials International, 2024-02-24, S. 1-10
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    Microstructural Evolution and Mechanical Properties of Laser Beam Welded Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi High Entropy Alloys
    Sourav, Ayush ; Chelvane, Arout ; et al.
    In: Metals and Materials International, 2024-02-10, S. 1-18
    Online academicJournal
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