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73 Treffer

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    MOCVD growth and thermal stability analysis of 1.2 µm InGaAs/GaAs multi quantum well structure.
    Chen, Xiangliu ; Xiao, Yao ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 922 (2022-11-20), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Studying the Effect of Electrically Active Impurities Coming from Trimethylgallium Synthesized by Different Means on the Electrophysical Characteristics of Gallium Arsenide Epitaxial Layers.
    Revin, M. V. ; Kotkov, A. P. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018-12-25), Heft 15, S. 1947-1952
    Online academicJournal
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    Ab initio theoretical study of arsine and trimethylgallium: The formation of GaAs by a stable adduct.
    Graves, Richard M. ; Scuseria, Gustavo E.
    In: Journal of Chemical Physics, Jg. 96 (1992-03-01), Heft 5, S. 3723-3731
    Online academicJournal
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    Zn-doping of GaAs nanowires grown by Aerotaxy.
    Yang, Fangfang ; Messing, Maria E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 181-186
    Online academicJournal
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    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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    The contribution of AsH3: Pre-flow and V/III ratio effects on heteroepitaxially grown GaAs/Ge.
    Demir, Ilkay
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 128 (2019-04-01), S. 1-8
    Online academicJournal
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    High throughput MOVPE and accelerated growth rate of GaAs for PV application.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 509 (2019-03-01), S. 87-90
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    Growth of InGaAs/GaAsSb type II superlattice for eSWIR photodetector using MOCVD.
    Elias, D.C. ; Shafir, I. ; et al.
    In: Infrared Physics & Technology, Jg. 95 (2018-12-01), S. 199-202
    Online academicJournal
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    The use of azo-compounds as probes of carbon incorporation of nominally undoped metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs.
    Buchan, N. I. ; Kuech, T. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-02-15), Heft 4, S. 2156-2160
    Online academicJournal
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    EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF GaAs IN A VERTICAL CVD REACTOR.
    Baek, Jae-Sang ; Boo, Jin-Hyo ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 15 (2008-02-01), Heft 1/2, S. 111-116
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE
    Nakano, T. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 179-185
    Online academicJournal
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    Trisneopentylgallium as a precursor for atomic layer epitaxy of GaAs.
    Yeo, P. ; Arès, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-10-01), Heft 10, S. 1174-1177
    Online academicJournal
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    An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium.
    Hess, K. ; Dapkus, P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982-11-01), Heft 6, S. 1115-1137
    Online academicJournal
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    Millisecond time-resolved reflectance difference measurements of GaAs grown by short-pulse....
    Cui, Jie ; Zhang, Suian
    In: Applied Physics Letters, Jg. 64 (1994-06-13), Heft 24, S. 3285-3287
    Online academicJournal
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    Reflectance-difference spectroscopy study of surface reactions in atomic layer epitaxy of GaAs...
    Maa, B.Y. ; Dapkus, P.D.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 58 (1991-05-20), Heft 20, S. 2261-2263
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of gallium arsenide with the use of atomic hydrogen.
    del Keijser, M. ; van Opdorp, C.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 58 (1991-03-18), Heft 11, S. 1187-1189
    Online academicJournal
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    Ultrahigh doping of GaAs by carbon during metalorganic molecular beam epitaxy.
    Abernathy, C. R. ; Pearton, S. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-10-23), Heft 17, S. 1750-1752
    Online academicJournal
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    Reaction of trimethylgallium in the atomic layer epitaxy of GaAs (100).
    Yu, Ming L. ; Memmert, Ulrich ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-09-04), Heft 10, S. 1011-1013
    Online academicJournal
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    Direct writing of GaAs monolayers by laser-assisted atomic layer epitaxy.
    Karam, N. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-04-04), Heft 14, S. 1144-1146
    Online academicJournal
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