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    Hole Generation in Polarization‐Doped AlxGa1–xN (x = 0.9–0.35)‐Graded Layer with Heavily Mg‐Doped Al0.35Ga0.65N Contact Layer for 275 nm Deep‐Ultraviolet Light‐Emitting Diode.
    Takahata, Hayata ; Kachi, Tomoaki ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, 2024-06-05, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Molecular Beam Epitaxy Growth and Characterization of Germanium‐Doped Cubic Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>N.
    Deppe, Michael ; Henksmeier, Tobias ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 257 (2020-04-01), Heft 4, S. 1-10
    Online academicJournal
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    The effects of Al on the neutral Mg acceptor impurity in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N.
    Sunay, U. R. ; Zvanut, M. E. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 12 (2015-04-01), Heft 4/5, S. 357-360
    academicJournal
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    cur Exciton recombination in spontaneously formed and artificial quantum wells Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-y</subscript>N (x<y~0.8).
    Toropov, A. A. ; Shevchenko, E. A. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 13 (2016-05-01), Heft 5/6, S. 232-238
    academicJournal
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    MOVPE growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N with x ∼ 0.5 on epitaxial laterally overgrown AlN/sapphire templates for UV-LEDs.
    Knauer, A. ; Zeimer, U. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 377-380
    academicJournal
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    Solar-blind Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N MSM photodetectors on patterned AlN/sapphire templates with 0.4 < x < 1.
    Knigge, A. ; Brendel, M. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 802-805
    academicJournal
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    Pulsed modulation doping of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N (x>0.6) AlGaN epilayers for deep UV optoelectronic devices.
    Chen, Hung-Chi ; Ahmad, Iftikhar ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 408-411
    academicJournal
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    Minority carrier diffusion length in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N (x = 0.1) grown by ammonia molecular beam epitaxy.
    Malin, Timur ; Gilinsky, Alexander ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 12 (2015-04-01), Heft 4/5, S. 447-450
    academicJournal
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    The effect of growth parameters on the Mg acceptor in In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N:Mg and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N:Mg.
    Zvanut, M. E. ; Willoughby, W. R. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 594-597
    academicJournal
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    The quantum-confined Stark effect and localization of charge carriers in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-y</subscript>N quantum wells with different morphologies.
    Shevchenko, E. A. ; Jmerik, V. N. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 10 (2013-03-01), Heft 3, S. 319-322
    academicJournal
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    Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>N‐Based Quantum Wells Fabricated on Macrosteps Effectively Suppressing Nonradiative Recombination.
    Hayakawa, Minehiro ; Ichikawa, Shuhei ; et al.
    In: Advanced Optical Materials, Jg. 7 (2019-01-15), Heft 2, S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Role of Oxygen Incorporation in High Temperature Annealed AlGaN.
    Zainal, Norzaini ; Hagedorn, Sylvia ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 220 (2023-06-01), Heft 11, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Design of AlGaN/AlN Dot‐in‐a‐Wire Heterostructures for Electron‐Pumped UV Emitters.
    Dimkou, Ioanna ; Harikumar, Anjali ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 217 (2020-04-01), Heft 7, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Temperature Dependence of Dark Spot Diameters in GaN and AlGaN.
    Netzel, Carsten ; Knauer, Arne ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-11-01), Heft 11, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys.
    Chichibu, Shigefusa F. ; Onuma, Takeyoshi ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 10 (2013-03-01), Heft 3, S. 501-506
    academicJournal
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    MOVPE Growth of Smooth and Homogeneous Al<subscript>0.8</subscript>Ga<subscript>0.2</subscript>N:Si Superlattices as UVC Laser Cladding Layers.
    Kuhn, Christian ; Simoneit, Tino ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 215 (2018-07-01), Heft 13, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Electronic Transport Properties in AlInGaN/AlGaN Heterostructures.
    Li, Yao ; Zhang, Jinfeng ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 215 (2018-04-11), Heft 7, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Deep ultraviolet lasing from AlGaN multiple-quantum-well structures.
    Yan, Jianchang ; Tian, Yingdong ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 13 (2016-05-01), Heft 5/6, S. 228-231
    academicJournal
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    Scanning near-field optical spectroscopy of AlGaN epitaxial layers.
    Pinos, Andrea ; Marcinkevičius, Saulius ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 9 (2012-07-01), Heft 7, S. 1617-1620
    academicJournal
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