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    Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire
    Kirste, Ronny ; Wagner, Markus R. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 210, issue 2, page 285-290 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa/NH 3 /H 2 reaction system in GaN‐MOVPE growth by computational simulation
    Hirako, A. ; Koiso, S. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 203, issue 7, page 1716-1719 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electronic structure of rare‐earth compounds TmGa 3 , ErGa 3 , and CeIn 3 studied by positrons
    Samsel‐Czekała, M. ; Kontrym‐Sznajd, G. ; et al.
    In: physica status solidi c ; volume 3, issue 1, page 179-182 ; ISSN 1862-6351 1610-1642, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Quantum Chemical Studies of Gas Phase Reactions between TMA, TMG, TMI and NH3
    Tachibana, A. ; Makino, O. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 176, issue 1, page 699-703 ; ISSN 0031-8965 1521-396X, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Quantum Chemical Studies of Gas Phase Reactions between TMA, TMG, TMI and NH3
    Tachibana, A. ; Makino, O. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 176, issue 1, page 699-703 ; ISSN 0031-8965 1521-396X, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal Properties of TmGa 3
    Czopnik, A. ; Mädge, H. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 163, issue 2, page 473-480 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 1991
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A Gd‐Film Thermomagnetic Generator in Resonant Self‐Actuation Mode
    Joseph, Joel ; Fontana, Erika ; et al.
    In: Advanced Functional Materials ; volume 33, issue 22 ; ISSN 1616-301X 1616-3028, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 218, issue 6 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of Triethylgallium and Trimethylgallium Precursors for GaInP Nanowire Growth
    Alcer, David ; Saxena, Aditya P. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 258, issue 2 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Al Incorporation up to 99% in Metalorganic Chemical Vapor Deposition‐Grown Monoclinic (Al x Ga 1– x ) 2 O 3 Films Using Trimethylgallium
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters ; volume 17, issue 10 ; ISSN 1862-6254 1862-6270, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Laser‐Assisted Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Gallium Nitride
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters ; volume 15, issue 6 ; ISSN 1862-6254 1862-6270, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Green emission from semipolar InGaN quantum wells grown on low‐defect () GaN templates fabricated on patterned r ‐sapphire
    de Mierry, P. ; Kappei, L. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 253, issue 1, page 105-111 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2015
    academicJournal
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    Influence of growth process scheme on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
    Wośko, Mateusz ; Paszkiewicz, Bogdan ; et al.
    In: physica status solidi c ; volume 10, issue 3, page 306-310 ; ISSN 1862-6351 1610-1642, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of low Al content Al x Ga 1− x N epitaxial films grown by atmospheric‐pressure MOVPE
    Touré, A. ; Halidou, I. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 209, issue 5, page 977-983 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Luminescence properties of GaPN layer grown by OMVPE
    Hatakenaka, S. ; Wakahara, A. ; et al.
    In: physica status solidi c ; volume 5, issue 6, page 1682-1684 ; ISSN 1862-6351 1610-1642, 2008
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal stability of amorphous structure and magnetic properties Fe 80– x Co x P 14 B 6 ( x = 20–40) ribbons
    Kostyrya, S. A. ; Idzikowski, B. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 243, issue 1, page 339-342 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2006
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effects of Ga Supply on the Growth of (11‐22) AlN on m ‐Plane (10‐10) Sapphire Substrates
    Jo, Masafumi ; Hirayama, Hideki
    In: physica status solidi (b) ; volume 255, issue 5 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2018
    academicJournal
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    Organometallic vapour phase epitaxy of galliumarsenide using Ga(CH 3 ) 3 · N(CH 3 ) 3 ‐adduct as precursor
    Seifert, W. ; Ploska, K. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology ; volume 24, issue 1, page 29-33 ; ISSN 0232-1300 1521-4079, 1989
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Various types of GaN/InGaN nanostructures grown by MOCVD on Si(111) substrate
    Rozhavskaya, Mariya M. ; Lundin, Wsevolod V. ; et al.
    In: physica status solidi c ; volume 10, issue 3, page 441-444 ; ISSN 1862-6351 1610-1642, 2013
    academicJournal
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    Carbon‐tuned cathodoluminescence of semi‐insulating GaN
    Kakanakova‐Georgieva, A. ; Forsberg, U. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 208, issue 9, page 2182-2185 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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