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    Regional characteristics of dust storms observed in the Alxa Plateau of China from 1961 to 2005
    Yao, Zhengyi ; Xiao, Jianhua ; et al.
    In: Environmental Earth Sciences, Jg. 64 (2011-09-01), Heft 1, S. 255-267
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    HoxB2, HoxB4 and Alx4 genes are downregulated in the cadmium-induced omphalocele in the chick model
    Doi, Takashi ; Puri, Prem ; et al.
    In: Pediatric Surgery International, Jg. 26 (2010-10-01), Heft 10, S. 1017-1023
    Online academicJournal
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    How did the Alxa Block respond to the Indo-Eurasian collision?
    Zhang, Jin ; Li, Jinyi ; et al.
    In: International Journal of Earth Sciences: GR Geologische Rundschau, Jg. 98 (2009-09-01), Heft 6, S. 1511-1527
    Online academicJournal
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    Modulators of the glycine site on NMDA receptors, d-serine and ALX 5407, display similar beneficial effects to clozapine in mouse models of schizophrenia
    Lipina, Tatiana ; Labrie, Viviane ; et al.
    In: Psychopharmacology, Jg. 179 (2005-04-01), Heft 1, S. 54-67
    Online academicJournal
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    Properties and use of ln<subscript>0.5</subscript>(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)<subscript>0.5</subscript>P and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript> as native oxides in heterostructure lasers
    Kish, F. A. ; Caracci, . J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-12-01), Heft 12, S. 1133-1139
    Online academicJournal
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    Photoluminescences from Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>P liquid phase epitaxial layers
    Yu, T. J. ; Matsuo, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-10-01), Heft 10, S. 1101-1107
    Online academicJournal
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    Acceptor and donor doping of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N thin film alloys grown on 6H-SiC(0001) substrates via metalorganic vapor phase epitaxy
    Bremser, M. D. ; Perry, W. G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-04-01), Heft 4, S. 229-232
    Online academicJournal
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    MBE growth and properties of GaN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N on GaN/SiC substrates
    Johnson, M. A. L. ; Fujita, Shizuo ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), Heft 5, S. 793-797
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    Alkoxide precursors for controlled oxygen incorporation during metalorganic vapor phase epitaxy GaAs and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As growth
    Huang, J. W. ; Gaines, D. F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-07-01), Heft 7, S. 659-667
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    Reduction of deep levels in MOCVD-regrown Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as interfaces by (NH<subscript>4</subscript>)<subscript>2</subscript>S passivation and in-situ HCl etching
    Guel, G. ; Armour, E. A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1051-1056
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    Ultraviolet photoluminescence from undoped and zn doped Al<subscript>x</subscript>G<subscript>a1−x</subscript>N with x between 0 and 0.75
    Lee, H. G. ; Gershenzon, M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-10-01), Heft 10, S. 621-625
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    Alx3-deficient mice exhibit decreased insulin in beta cells, altered glucose homeostasis and increased apoptosis in pancreatic islets
    Mirasierra, M. ; Fernández-Pérez, A. ; et al.
    In: Diabetologia: Clinical and Experimental Diabetes and Metabolism, Jg. 54 (2011-02-01), Heft 2, S. 403-414
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    Sacrificial etching of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As for III–V MEMS surface micromachining
    Kumar, P. ; Kanakaraju, S. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 88 (2007-09-01), Heft 4, S. 711-714
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    Photoluminescence and persistent photoconductivity of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures
    Chung, S.J. ; Karunagaran, B. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 86 (2007-03-01), Heft 4, S. 521-524
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    Magnetic-field and confinement effects on the effective Landé g factor in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As parabolic quantum wells
    Bruno-Alfonso, A. ; López, F. E. ; et al.
    In: The European Physical Journal B: Condensed Matter and Complex Systems, Jg. 74 (2010-04-01), Heft 3, S. 319-329
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    Second harmonic generation in AlGaN, GaN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1–x</subscript>N/GaN multiple quantum well structures
    Passeri, D. ; Larciprete, M.C. ; et al.
    In: Applied Physics B: Lasers and Optics, Jg. 79 (2004-09-01), Heft 5, S. 611-615
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    Electronic and structural properties of zincblende Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N
    Liou, B. T.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 86 (2007-03-01), Heft 4, S. 539-543
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    Electrical and optical characterization studies of lower dose Si-implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N
    Ryu, Mee-Yi ; Yeo, Y. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 35 (2006-04-01), Heft 4, S. 647-653
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    Study of optical and electrical properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>Sb grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Ramelan, A. H. ; Drozdowicz-Tomsia, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-08-01), Heft 8, S. 965-971
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    High-temperature hysteretic electronic effects of (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>0.5</subscript>In<subscript>0.5</subscript>P (x>0.65)
    Bieg, B. ; Cederberg, J. G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-02-01), Heft 2, S. 231-236
    Online academicJournal
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