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    Trisneopentylgallium as a precursor for atomic layer epitaxy of GaAs
    Yeo, P. ; Arès, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-10-01), Heft 10, S. 1174-1177
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    An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium
    Hess, K. L. ; Dapkus, P. D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982-11-01), Heft 6, S. 1115-1137
    Online academicJournal
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    Effect of high-temperature annealing on GaInP/GaAs HBT structures grown by LP-MOVPE
    Brunner, F. ; Richter, E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-02-01), Heft 2, S. 205-209
    Online academicJournal
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    The quartz-envelope heater: A new heater for metal-organic chemical vapor deposition systems
    Boldish, S. I. ; Ciofalo, J. S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 14 (1985-09-01), Heft 5, S. 587-615
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