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    A comparison of TMG with TEG for the growth of InxGa1−xAs
    Glew, Richard William ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 29, issue 1, page 146-150 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 2000
    academicJournal
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    A study of parasitic reactions between NH3 and TMGa or TMAI
    Chen, C. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 25, issue 6, page 1004-1008 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1996
    academicJournal
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    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI4-doped inGaAs
    Stockman, S. A. ; Hanson, A. W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 23, issue 8, page 791-799 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1994
    academicJournal
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    Quadrupole pair order in cubic TmGa3 studied by169Tm Mössbauer spectroscopy
    Gubbens, P. C. M. ; Van der Kraan, A. M. ; et al.
    In: Hyperfine Interactions ; volume 29, issue 1-4, page 1343-1346 ; ISSN 0304-3843 1572-9540, 1986
    academicJournal
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    A study of the OMVPE growth mechanisms using internal reflectance spectroscopy to examine adsorption of TMGa and NH3 and surface reactions between them
    Tripathi, A. ; Mazzarese, D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 18, issue 1, page 45-51 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1989
    academicJournal
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    Effects of precursor additives on the stability of plasma enhanced chemical vapor deposited a-GeC(O):H films
    Grill, A. ; Guilley, S. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 17, issue 2, page 367-375 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 2002
    academicJournal
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    Growth kinetics and characterizations of gallium nitride thin films by remote PECVD
    Choi, S.W. ; Bachmann, K.J. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 8, issue 4, page 847-854 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 1993
    academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Synthesis of the new RGaMnO5 (R = Ho, Er, Tm) oxides: Structural and magnetic features
    Calle, Cristina de la ; Alonso, Jose A. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 24, issue 9, page 2837-2844 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 2009
    academicJournal
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    Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Growth Window for Undoped Gallium Antimonide
    Subekti, A. ; Goldys, E. M. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 14, issue 4, page 1238-1245 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 1999
    academicJournal
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