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    Ballistic Hole Injection Velocity Analysis in Ge UTB pMOSFETs: Dependence on Body Thickness, Orientation and Strain
    Mehrotra, Saumitra R. ; Paul, Abhijeet ; et al.
    In: Birck and NCN Publications, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Performance Enhancement of GaAs UTB pFETs by Strain, Orientation and Body Thickness Engineering
    Paul, Abhijeet ; Mehrotra, Saumitra ; et al.
    In: Birck and NCN Publications, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A Tight-Binding Study of the Ballistic Injection Velocity for Ultrathin-Body SOI MOSFETs
    Liu, Yang ; Neophytou, Neophytos ; et al.
    In: Other Nanotechnology Publications, 2008
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Simulating Nanowires and Ultra-Thin Body Transistors using NEMO5 on nanoHUB.org
    Dai, Liang Yuan ; Fonseca, James E ; et al.
    In: The Summer Undergraduate Research Fellowship (SURF) Symposium, 2015
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Simulation Study of Thin-Body Ballistic n-MOSFETs Involving Transport in Mixed Gamma-L Valleys
    Mehrotra, Saumitra R. ; Povolotskyi, Michael ; et al.
    In: Birck and NCN Publications, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Band-Structure Effects on the Performance of III-V Ultrathin-Body SOI MOSFETs
    Liu, Yang ; Neophytou, Neophytos ; et al.
    In: Other Nanotechnology Publications, 2008
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Subband Engineering for p-type Silicon Ultra-Thin Layers for Increased Carrier Velocities: An Atomistic Analysis
    Neophytou, Neophytos ; Klimeck, Gerhard
    In: Birck and NCN Publications, 2011
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Subband Engineering for p-type Silicon Ultra-Thin Layers for Increased Carrier Velocities: An Atomistic Analysis
    Neophytou, Neophytos ; Klimeck, Gerhard ; et al.
    In: Other Nanotechnology Publications, 2011
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Atomistic Full-Band Design Study of InAs Band-to-Band Tunneling Field-Effect Transistors
    Luisier, Mathieu ; Klimeck, Gerhard
    In: Birck and NCN Publications, 2009
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Channel Length Scaling of MoS2 MOSFETs
    Liu, Han ; Neal, Adam T. ; et al.
    In: Birck and NCN Publications, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Advancing nanoelectronic device modeling through peta-scale computing and deployment on nanoHUB
    Haley, Benjamin ; Lee, Sunhee ; et al.
    In: Birck and NCN Publications, 2009
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?

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