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71 Treffer

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    An Enhanced AC Conductance Method with Source/Drain Resistance Correction for Self-Heating Effects of Novel Nano-Scaled Devices
    Kuo, J.Y. ; Lee, W. ; et al.
    In: 2023 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2023-06-11, S. 89-90
    Online Konferenz
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    Data Matching Engine for Efficient Big Data Searching Systems Using a RRAM Based Novel Computing Paradigm
    Song, S.Y. ; Zhang, Y.Z. ; et al.
    In: 2023 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2023-06-11, S. 5-6
    Online Konferenz
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    A Novel Ferroelectric Tunnel FET-based Time-Domain Content Addressable Memory with High Distance-Metric Linearity and Energy Efficiency for Edge Machine Learning
    Xu, Weikai ; Luo, Jin ; et al.
    In: 2023 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2023-06-11, S. 7-8
    Online Konferenz
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    Novel Mos2 Dual-Gate FET with a Highly Scaled EOT of ~2.4 nm High-k Gate Dielectric Layer for Reconfigurable Logic Gate and High-Precision Analog Synapse
    Li, Lingqi ; Zheng, Haofei ; et al.
    In: 2023 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2023-06-11, S. 105-106
    Online Konferenz
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    A 76- to 81-GHz, 0.6° rms Phase Error Multi-channel Transmitter with a Novel Phase Detector and Compensation Technique
    Fujibayashi, Takeji ; Takeda, Yohsuke
    In: 2019 Symposium on VLSI Circuits, 2019-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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    A novel vertical tunnel FET of band-to-band tunneling aligned with gate electric field with averaged SS of 28 mV/decade
    Shih, Pao-Chuan ; Huang, Hsien-Chih ; et al.
    In: 2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2017-06-01, S. 49-50
    Online Konferenz
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    The first GeSn FinFET on a novel GeSnOI substrate achieving lowest S of 79 mV/decade and record high Gm, int of 807 μS/μm for GeSn P-FETs
    Lei, D. ; Lee, K.H. ; et al.
    In: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A cross point Cu-ReRAM with a novel OTS selector for storage class memory applications
    Yasuda, Shuichiro ; Ohba, Kazuhiro ; et al.
    In: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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    High performance and record subthreshold swing demonstration in scaled RMG SiGe FinFETs with high-Ge-content channels formed by 3D condensation and a novel gate stack process
    Hashemi, P. ; Ando, T. ; et al.
    In: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Novel ferroelectric FET based synapse for neuromorphic systems
    Mulaosmanovic, H. ; Ocker, J. ; et al.
    In: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A novel write method for improving RESET distribution of PRAM
    Park, H. K. ; Lee, K. W. ; et al.
    In: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A novel ALD SiBCN low-k spacer for parasitic capacitance reduction in FinFETs
    Yamashita, T. ; Mehta, S. ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Novel oxygen showering process (OSP) for extreme damage suppression of sub-20nm high density p-MTJ array without IBE treatment
    Jeong, J. H. ; Endoh, T.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Novel single p+poly-Si/Hf/SiON gate stack technology on silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) for ultra-low leakage applications
    Yamamoto, Y. ; Makiyama, H. ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Confined Epitaxial Lateral Overgrowth (CELO): A novel concept for scalable integration of CMOS-compatible InGaAs-on-insulator MOSFETs on large-area Si substrates
    Czornomaz, L. ; Uccelli, E. ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A novel dichotomic programming algorithm applied to 3D NAND flash
    Hsieh, Chih-Chang ; Lue, Hang-Ting ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Further investigations on traps stabilities in random telegraph signal noise and the application to a novel concept physical unclonable function (PUF) with robust reliabilities
    Chen, Jiezhi ; Tanamoto, Tetsufumi ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A novel self-converging write scheme for 2-bits/cell phase change memory for Storage Class Memory (SCM) application
    Chien, W.C. ; Ho, Y.H. ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Novel selector for high density non-volatile memory with ultra-low holding voltage and 107 on/off ratio
    Yang, Hongxin ; Li, Minghua ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A novel CBRAM integration using subtractive dry-etching process of Cu enabling high-performance memory scaling down to 10nm node
    Redolfi, A. ; Goux, L. ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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