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    Evaluation of Photosensitive Performance of Different Structured UTBB MOSFET
    Liu, Liqiao ; Liu, Xiaoyan ; et al.
    In: 2019 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2019-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    First experimental observation of channel thickness scaling (down to 3 nm) induced mobility enhancement in UTB GeOI nMOSFETs
    Chang, W. H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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    Built-in effective body-bias effect in UTBB hetero-channel MOSFETs and its suppression
    Yu, Chang-Hung ; Su, Pin
    In: 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2015-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Silicon-compatible low resistance S/D technologies for high-performance top-gate self-aligned InGaZnO TFTs with UTBB (ultra-thin body and BOX) structures
    Ota, K. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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    Performance evaluation of Si ultra-thin body (1 nm) junctionless FET with LG = 1 nm and LG = 3 nm
    Jhan, Yi-Ruei ; Liu, Yan-Bo ; et al.
    In: 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2015-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Fully integrated DC-DC converter and a 0.4V 32-bit CPU with timing-error prevention supplied from a prototype 1.55V Li-ion battery
    Turnquist, Matthew ; Hiienkari, Markus ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Circuits (VLSI Circuits), 2015-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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    Breakthrough technologies and reference designs for new IoT applications
    Magarshack, Ph.
    In: 2015 Symposium on VLSI Circuits (VLSI Circuits), 2015-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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    Additional charge trapping layer SONOS nonvolatile memory based on ultra-thin body poly-Si junctionless FinFET
    Wang, Wei-Cheng ; Chung, Chien-Chih ; et al.
    In: 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2015-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Breakthrough technologies and reference designs for new IoT applications
    Magarshack, Ph.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    High hole mobility front-gate InAs/InGaSb-OI single structure CMOS on Si
    Nishi, K. ; Yokoyama, M. ; et al.
    In: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015-06-01, S. 2
    Online Konferenz
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