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    Significant k-point selection scheme for computationally efficient band structure based UTB device simulations
    Solanki, Ravi ; Mishra, Nalin Vilochan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 36, issue 11, page 115009 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2021
    academicJournal
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    Study of potential high-kdielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeling of the gate tunneling leakage
    Darbandy, Ghader ; Lime, François ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 26, issue 11, page 115002 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices
    Zhuge, Jing ; An, Xia ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 23, issue 7, page 075009 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2008
    academicJournal
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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Ke, Wei ; Han, Xu ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 22, issue 5, page 577-583 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2007
    academicJournal
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    A continuous analytic I– Vmodel for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    He, Jin ; Chan, Mansun ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 21, issue 3, page 261-266 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2006
    academicJournal
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    Molybdenum Gate Work Function Engineering for Ultra-Thin-Body Silicon-on-Insulator (UTB SOI) MOSFETs
    Ha, Daewon ; Ranade, Pushkar ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 42, issue Part 1, No. 4B, page 1979-1982 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2003
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices.
    Zhuge, Jing ; An, Xia ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 23 (2008-07-01), Heft 7, S. 75009-75009
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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