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    Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN quantum wells.
    Jian-Xia, Wang ; Shao-Yan, Yang ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 22 (2013-07-01), Heft 7, S. 1-4
    Online academicJournal
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    AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors with an AlxGa1−xN/GaN Composite Buffer Layer.
    Xiang-Dong, Li ; Jin-Cheng, Zhang ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 32 (2015-07-01), Heft 7, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Towards smooth (010) β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> films homoepitaxially grown by plasma assisted molecular beam epitaxy: the impact of substrate offcut and metal-to-oxygen flux ratio.
    Mazzolini, P ; Bierwagen, O
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 53 (2020-08-26), Heft 35, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Electron transport in Al x Ga1−x As based double quantum well modulation doped field effect transistor structure: effect of non-square potential profile.
    Sangeeta K Palo ; Sahoo, Narayan ; et al.
    In: Journal of Micromechanics & Microengineering, Jg. 29 (2019-08-01), Heft 8, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Unintentional gallium incorporation in AlN and its impact on the electrical properties of GaN/AlN and GaN/AlN/AlGaN heterostructures.
    Li, Haoran ; Keller, Stacia ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 30 (2015-05-01), Heft 5, S. 1-1
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    Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure.
    Lun, Guo ; Xiao, Wang ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 26 (2009), Heft 1, S. 17301-17301
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