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    Structure and Strain Properties of GaN Films Grown on Si (111) Substrates with AlxGa1−xN/AlyGa1−yN Superlattices.
    Lei, Pan ; Jin-Yu, Ni ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 32 (2015-05-01), Heft 5, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Control of complex quantum structures in droplet epitaxy.
    Chawner, J M A ; Chang, Y ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 34 (2019-09-01), Heft 9, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Internal quantum efficiency of AlGaN/AlN quantum dot superlattices for electron-pumped ultraviolet sources.
    Harikumar, A ; Donatini, F ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-12-11), Heft 50, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Assessment of AlGaN/AlN superlattices on GaN nanowires as active region of electron-pumped ultraviolet sources.
    Dimkou, I ; Harikumar, A ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-05-15), Heft 20, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes.
    Xing, Yao ; Zhao, De-Gang ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 27 (2018-02-01), Heft 2, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Transport properties of clean quantum point contacts.
    Rössler, C. ; Baer, S. ; et al.
    In: New Journal of Physics, Jg. 13 (2011-11-01), Heft 11, S. 1-16
    Online academicJournal
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