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    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider A., Kizir S., Deminskyi P., Tsymbalenko O., Leghari S.A., Biyikli N., Alevli M., Gungor N.
    2016
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider, A. ; Kizir, S. ; et al.
    In: 2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2016 - Conference Proceedings, 2016
    Online Konferenz
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