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    Design of kV-Class and Low R ON E-Mode β-Ga 2 O 3 Current Aperture Vertical Transistors With Delta-Doped β-(AlxGa 1−x ) 2 O 3 /Ga 2 O 3 Heterostructure
    Wang, Dawei ; Mudiyanselage, Dinusha Herath ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 70, issue 11, page 5795-5802 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2023
    Online academicJournal
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    Improving GaP Solar Cell Performance by Passivating the Surface Using AlxGa1-xP Epi-Layer
    Lu, Xuesong ; Hao, Ruiying ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society ; volume 1, issue 5, page 111-116 ; ISSN 2168-6734, 2013
    Online academicJournal
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    Single-pass gain measurements on optically pumped AlxGa(1-x)As-AlyGa(1-y)As double-heterojunction laser structures at room temperature
    Bakker, J. ; Acket, G.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 13, issue 8, page 567-573 ; ISSN 0018-9197, 1977
    Online academicJournal
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    Quantum-well AlxGa1 - xAs-GaAs heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Dupuis, R. ; Dapkus, P. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 15, issue 8, page 756-761 ; ISSN 0018-9197, 1979
    Online academicJournal
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    Dispersion of the refractive index of GaAs and AlxGa1-xAs
    Jensen, B. ; Torabi, A.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 19, issue 5, page 877-882 ; ISSN 0018-9197, 1983
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    Self-focusing effects in pulsating AlxGa1-xAs double-heterostructure lasers
    van der Ziel, J.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 17, issue 1, page 60-68 ; ISSN 0018-9197, 1981
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    Transverse mode stabilized AlxGa1-xAs injection lasers with channeled-substrate-planar structure
    Aiki, K. ; Nakamura, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 14, issue 2, page 89-94 ; ISSN 0018-9197, 1978
    Online academicJournal
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    Electrooptic polarization modulation in multielectrode AlxGa1-xAs rib waveguides
    Reinhart, F. ; Logan, R. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 18, issue 4, page 763-766 ; ISSN 0018-9197, 1982
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    Improved molecular beam epitaxial growth of AlxGa1 - xAs/GaAs high-radiance LED's for optical communications
    Lee, Tien-Pei ; Holden, W. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 17, issue 3, page 387-391 ; ISSN 0018-9197, 1981
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    Visible-light laser oscillation in indirect-bandgap AlxGa1-xAs (77 K)
    Makita, Y. ; Gonda, S.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 13, issue 8, page 642-646 ; ISSN 0018-9197, 1977
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    Proximity coupling of surface acoustic waves to a superconducting AlxO1-xfilm
    Schenstrom, A. ; Levy, M.
    In: IEEE Transactions on Magnetics ; volume 23, issue 2, page 1030-1033 ; ISSN 0018-9464, 1987
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    Low-threshold alxGa1-xAs visible and IR-light-emitting diode lasers
    Kressel, H. ; Lockwood, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 6, issue 6, page 278-284 ; ISSN 0018-9197, 1970
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