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    Effects of Initial GaN Growth Mode on Patterned Sapphire on the Opto-Electrical Characteristics of GaN-Based Light-Emitting Diodes
    Chang, H. M. ; Lai, W. C. ; et al.
    In: Journal of Display Technology, Jg. 9 (2013-04-01), Heft 4, S. 292-296
    Online academicJournal
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    Phase separation in bulk InGaN and quantum wells grown by low pressure MOCVD
    Tran, C.A. ; Karlicek, R.F., Jr. ; et al.
    In: 1997 Digest of the IEEE/LEOS Summer Topical Meeting: Vertical-Cavity Lasers/Technologies for a Global Information Infrastructure/WDM Components Technology/Advanced Semiconductor Lasers and Application, 1997, S. 29-30
    Online Konferenz
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    Growth of InGaN quantum wells and InGaN/GaN quantum well LEDs by MOCVD
    Keller, S. ; Mishra, U.K. ; et al.
    In: Conference Proceedings LEOS'96 9th Annual Meeting IEEE Lasers and Electro-Optics Society, Jg. 1 (1996), S. 1
    Online Konferenz
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