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    Si MOS technology for spin-based quantum computing
    Hutin, L. ; Bertrand, B. ; et al.
    In: 2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) ; 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018) ; https://hal.science/hal-02142069 ; 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018), Sep 2018, Dresden, Germany. pp.12-17, ⟨10.1109/ESSDERC.2018.8486863⟩, 2018
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Si MOS technology for spin-based quantum computing
    Hutin, L. ; Bertrand, B. ; et al.
    In: 2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) ; 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018) ; https://hal.science/hal-02142069 ; 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018), Sep 2018, Dresden, Germany. pp.12-17, ⟨10.1109/ESSDERC.2018.8486863⟩, 2018
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Si MOS technology for spin-based quantum computing
    Hutin, L. ; Bertrand, B. ; et al.
    In: 2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) ; 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018) ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02142069 ; 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018), Sep 2018, Dresden, Germany. pp.12-17, ⟨10.1109/ESSDERC.2018.8486863⟩, 2018
    Online Konferenz
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    Magnetic domain walls: from physics to devices
    Raymenants, E. ; Wan, D. ; et al.
    In: 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) ; https://hal.science/hal-03768245 ; 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2021, San Francisco, United States. pp.32.3.1-32.3.4, ⟨10.1109/IEDM19574.2021.9720689⟩, 2021
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Magnetic domain walls: from physics to devices
    Raymenants, E. ; Wan, D. ; et al.
    In: 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) ; https://hal.science/hal-03768245 ; 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2021, San Francisco, United States. pp.32.3.1-32.3.4, ⟨10.1109/IEDM19574.2021.9720689⟩, 2021
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Magnetic domain walls: from physics to devices
    Raymenants, E. ; Wan, D. ; et al.
    In: 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) ; https://hal.science/hal-03768245 ; 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2021, San Francisco, United States. pp.32.3.1-32.3.4, ⟨10.1109/IEDM19574.2021.9720689⟩, 2021
    Konferenz
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    Correlation between strain and maximum lasing temperature in GeSn microbridges
    Chretien, Jeremie ; Pauc, Nicolas ; et al.
    In: IPC 2020 - 2020 IEEE Photonics Conference ; https://cea.hal.science/cea-03096049 ; IPC 2020 - 2020 IEEE Photonics Conference, Sep 2020, Vancouver, Canada. pp.1-2, ⟨10.1109/IPC47351.2020.9252430⟩ ; https://ieee-ipc.org/, 2020
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Correlation between strain and maximum lasing temperature in GeSn microbridges
    Chretien, Jeremie ; Pauc, Nicolas ; et al.
    In: IPC 2020 - 2020 IEEE Photonics Conference ; https://cea.hal.science/cea-03096049 ; IPC 2020 - 2020 IEEE Photonics Conference, Sep 2020, Vancouver, Canada. pp.1-2, ⟨10.1109/IPC47351.2020.9252430⟩ ; https://ieee-ipc.org/, 2020
    Konferenz
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    Correlation between strain and maximum lasing temperature in GeSn microbridges
    Chretien, Jeremie ; Pauc, Nicolas ; et al.
    In: IPC 2020 - 2020 IEEE Photonics Conference ; https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03096049 ; IPC 2020 - 2020 IEEE Photonics Conference, Sep 2020, Vancouver, Canada. pp.1-2, ⟨10.1109/IPC47351.2020.9252430⟩ ; https://ieee-ipc.org/, 2020
    Konferenz
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    Correlation between strain and maximum lasing temperature in GeSn microbridges
    Chretien, Jeremie ; Pauc, Nicolas ; et al.
    In: IPC 2020 - 2020 IEEE Photonics Conference ; https://cea.hal.science/cea-03096049 ; IPC 2020 - 2020 IEEE Photonics Conference, Sep 2020, Vancouver, Canada. pp.1-2, ⟨10.1109/IPC47351.2020.9252430⟩ ; https://ieee-ipc.org/, 2020
    Konferenz
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    Nanogenerators based on piezoelectric GaN nanowires grown by PA-MBE and MOCVD
    Lu, L. ; Jamond, N. ; et al.
    In: 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) ; https://cea.hal.science/cea-02076724 ; 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), Jul 2018, Cork, Ireland. pp.1-2, ⟨10.1109/NANO.2018.8626416⟩, 2018
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The advantages of coupling experimental methods and analytical modelling to fix deformation problems in devices conception and manufacturing
    Vignoud, Lionel ; Morin, Christine ; et al.
    In: ICSJ 2018 - IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN ; https://hal.science/hal-02067863 ; ICSJ 2018 - IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN, Nov 2018, Kyoto, Japan. pp.11-14, ⟨10.1109/ICSJ.2018.8602522⟩, 2018
    Konferenz
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    The advantages of coupling experimental methods and analytical modelling to fix deformation problems in devices conception and manufacturing
    Vignoud, Lionel ; Morin, Christine ; et al.
    In: ICSJ 2018 - IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN ; https://hal.science/hal-02067863 ; ICSJ 2018 - IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN, Nov 2018, Kyoto, Japan. pp.11-14, ⟨10.1109/ICSJ.2018.8602522⟩, 2018
    Konferenz
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    The advantages of coupling experimental methods and analytical modelling to fix deformation problems in devices conception and manufacturing
    Vignoud, Lionel ; Morin, Christine ; et al.
    In: ICSJ 2018 - IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN ; https://hal.science/hal-02067863 ; ICSJ 2018 - IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN, Nov 2018, Kyoto, Japan. pp.11-14, ⟨10.1109/ICSJ.2018.8602522⟩, 2018
    Konferenz
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    Nanogenerators based on piezoelectric GaN nanowires grown by PA-MBE and MOCVD
    Lu, L. ; Jamond, N. ; et al.
    In: 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) ; https://cea.hal.science/cea-02076724 ; 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), Jul 2018, Cork, Ireland. pp.1-2, ⟨10.1109/NANO.2018.8626416⟩, 2018
    Konferenz
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    Development of spin quantum bits in SOI CMOS technology
    Bertrand, B. ; Hutin, L. ; et al.
    In: 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) ; https://hal.science/hal-02142072 ; 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), Jul 2018, Cork, Ireland. pp.1-3, ⟨10.1109/NANO.2018.8626273⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Towards scalable silicon quantum computing
    Vinet, M. ; Hutin, L. ; et al.
    In: 2018 76th Device Research Conference (DRC) ; https://hal.science/hal-02142007 ; 2018 76th Device Research Conference (DRC), Jun 2018, Santa Barbara, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/DRC.2018.8442198⟩, 2018
    Konferenz
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    All-Electrical Control of a Hybrid Electron Spin/Valley Quantum Bit in SOI CMOS Technology
    Hutin, L. ; Bourdet, L. ; et al.
    In: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02142078 ; 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, United States. pp.125-126, ⟨10.1109/VLSIT.2018.8510665⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The advantages of coupling experimental methods and analytical modelling to fix deformation problems in devices conception and manufacturing
    Vignoud, Lionel ; Morin, Christine ; et al.
    In: ICSJ 2018 - IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN ; https://hal.science/hal-02067863 ; ICSJ 2018 - IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN, Nov 2018, Kyoto, Japan. pp.11-14, ⟨10.1109/ICSJ.2018.8602522⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nanogenerators based on piezoelectric GaN nanowires grown by PA-MBE and MOCVD
    Lu, L. ; Jamond, N. ; et al.
    In: 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) ; https://cea.hal.science/cea-02076724 ; 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), Jul 2018, Cork, Ireland. pp.1-2, ⟨10.1109/NANO.2018.8626416⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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