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    Y-Function Analysis of the Low Temperature Behavior of Ultrathin Film FD SOI MOSFETs.
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Active & Passive Electronic Components, 2014, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Influence of Series Massive Resistance on Capacitance and Conductance Characteristics in Gate-Recessed Nanoscale SOI MOSFETs.
    Karsenty, Avraham ; Chelly, Avraham
    In: Active & Passive Electronic Components, 2013, S. 1-11
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Usage and Limitation of Standard Mobility Models for TCAD Simulation of Nanoscaled FD-SOI MOSFETs.
    Ciprut, A. ; Chelly, A. ; et al.
    In: Active & Passive Electronic Components, Jg. 2015 (2015-05-26), S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Investigation of the Low-Temperature Behavior of FD-SOI MOSFETs in the Saturation Regime Using Y and Z Functions.
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Active & Passive Electronic Components, 2014, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Modeling of the Channel Thickness Influence on Electrical Characteristics and Series Resistance in Gate-Recessed Nanoscale SOI MOSFETs.
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Active & Passive Electronic Components, 2013, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Novel Nanoscale FDSOI MOSFET with Block-Oxide.
    Lin, Jyi-Tsong ; Eng, Yi-Chuen ; et al.
    In: Active & Passive Electronic Components, 2013, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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