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    Back-gate feedback for auto-calibration of analog and mixed cells in UTBB-FDSOI technology ; Auto-polarisation de la grille arrière pour auto-calibration de cellules analogiques et mixtes en technologie UTBB-FDSOI
    Wei, Zhaopeng ; Laboratoire de Polytech Nice-Sophia (Polytech'Lab) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02493990 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Côte d'Azur, 2019. English. ⟨NNT : 2019AZUR4033⟩, 2019
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    Back-gate feedback for auto-calibration of analog and mixed cells in UTBB-FDSOI technology ; Auto-polarisation de la grille arrière pour auto-calibration de cellules analogiques et mixtes en technologie UTBB-FDSOI
    Wei, Zhaopeng ; Laboratoire de Polytech Nice-Sophia (Polytech'Lab) ; et al.
    In: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02493990 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Côte d'Azur, 2019. English. ⟨NNT : 2019AZUR4033⟩, 2019
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    Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors ; Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02402927 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI026⟩, 2019
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    Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors ; Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02402927 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI026⟩, 2019
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    Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors ; Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02402927 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI026⟩, 2019
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    Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors ; Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02402927 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI026⟩, 2019
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    Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors ; Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI
    AYELE, Getenet Tesega ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02402927 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI026⟩, 2019
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    UTBB FDSOI mosfet dynamic behavior study and modeling for ultra-low power RF and mm-Wave IC Design ; Étude et modélisation du comportement dynamique du transistor MOS du type UTBB FDSOI pour la conception de circuits integrés analogiques à hautes fréquences et très basse consommation
    El Ghouli, Salim ; Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (ICube) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02136789 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Strasbourg, 2018. English. ⟨NNT : 2018STRAD015⟩, 2018
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    UTBB FDSOI mosfet dynamic behavior study and modeling for ultra-low power RF and mm-Wave IC Design ; Étude et modélisation du comportement dynamique du transistor MOS du type UTBB FDSOI pour la conception de circuits integrés analogiques à hautes fréquences et très basse consommation
    El Ghouli, Salim ; Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (ICube) ; et al.
    In: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02136789 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Strasbourg, 2018. English. ⟨NNT : 2018STRAD015⟩, 2018
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    Electrical characterization and modeling of advanced nano-scale ultra thin body and buried oxide MOSFETs and application in circuit simulations ; Caractérisation et modélisation de UTBB MOSFET sur SOI pour les technologies CMOS avancées et applications en simulations circuits
    Karatsori, Theano ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01690112 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes; Université Aristote (Thessalonique, Grèce), 2017. Français. ⟨NNT : 2017GREAT035⟩, 2017
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    Electrical characterization and modeling of advanced nano-scale ultra thin body and buried oxide MOSFETs and application in circuit simulations ; Caractérisation et modélisation de UTBB MOSFET sur SOI pour les technologies CMOS avancées et applications en simulations circuits
    Karatsori, Theano ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01690112 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes; Université Aristote (Thessalonique, Grèce), 2017. Français. ⟨NNT : 2017GREAT035⟩, 2017
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    Electrical characterization and modeling of advanced nano-scale ultra thin body and buried oxide MOSFETs and application in circuit simulations ; Caractérisation et modélisation de UTBB MOSFET sur SOI pour les technologies CMOS avancées et applications en simulations circuits
    Karatsori, Theano ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    In: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01690112 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes; Université Aristote (Thessalonique, Grèce), 2017. Français. ⟨NNT : 2017GREAT035⟩, 2017
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    Study of electrical low frequency noise in advanced CMOS technologies ; Etude du bruit électrique basse fréquence dans des technologies CMOS avancées
    Nafaa, Beya ; Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072 ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02299236 ; Automatique / Robotique. Normandie Université; Université de Carthage (Tunisie), 2018. Français. ⟨NNT : 2018NORMC273⟩, 2018
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    Study of electrical low frequency noise in advanced CMOS technologies ; Etude du bruit électrique basse fréquence dans des technologies CMOS avancées
    Nafaa, Beya ; Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072 ; et al.
    In: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02299236 ; Automatique / Robotique. Normandie Université; Université de Carthage (Tunisie), 2018. Français. ⟨NNT : 2018NORMC273⟩, 2018
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    New FDSOI-based integrated circuit architectures sensitive to light for imaging applications ; Études de nouvelles architectures de composants intégrés sensibles à la lumière en filière FDSOI pour les applications de type imageur
    Kadura, Lina ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02476909 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes, 2019. English. ⟨NNT : 2019GREAT031⟩, 2019
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    New FDSOI-based integrated circuit architectures sensitive to light for imaging applications ; Études de nouvelles architectures de composants intégrés sensibles à la lumière en filière FDSOI pour les applications de type imageur
    Kadura, Lina ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02476909 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes, 2019. English. ⟨NNT : 2019GREAT031⟩, 2019
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    New FDSOI-based integrated circuit architectures sensitive to light for imaging applications ; Études de nouvelles architectures de composants intégrés sensibles à la lumière en filière FDSOI pour les applications de type imageur
    Kadura, Lina ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02476909 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes, 2019. English. ⟨NNT : 2019GREAT031⟩, 2019
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    Integration of Single Photon Avalanche Diodes in Fully Depleted Silicon-on-Insulator Technology ; Intégration de SPAD (Single Photon Avalanche Diodes) dans une technologie FDSOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator Technology)
    Chaves de Albuquerque, Tulio ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02902127 ; Electronics. Université de Lyon, 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI091⟩, 2019
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    Integration of Single Photon Avalanche Diodes in Fully Depleted Silicon-on-Insulator Technology ; Intégration de SPAD (Single Photon Avalanche Diodes) dans une technologie FDSOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator Technology)
    Chaves de Albuquerque, Tulio ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02902127 ; Electronics. Université de Lyon, 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI091⟩, 2019
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    Integration of Single Photon Avalanche Diodes in Fully Depleted Silicon-on-Insulator Technology ; Intégration de SPAD (Single Photon Avalanche Diodes) dans une technologie FDSOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator Technology)
    Chaves de Albuquerque, Tulio ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02902127 ; Electronics. Université de Lyon, 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI091⟩, 2019
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