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    TLP/VFTLP investigation on eNVM 1T1R PCM in FD-SOI UTBB CMOS technology at room temperature
    Galy, Ph. ; Jacquier, B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 148 (2023-09-01)
    Online academicJournal
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    Impact of thermal coupling effects on the digital and analog figures of merit of UTBB SOI MOSFET pairs
    Vanbrabant, Martin ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 202 (2023-04-01)
    Online academicJournal
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    Cryogenic characteristics of UTBB SOI Schottky-Barrier MOSFETs
    Han, Yi ; Sun, Jingxuan ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 194 (2022-08-01)
    Online academicJournal
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    Cross-coupling effects in common-source current mirrors composed by UTBB transistors
    José da Costa, Fernando ; Trevisoli, Renan ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 194 (2022-08-01)
    Online academicJournal
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    Characterization of fully silicided source/drain SOI UTBB nMOSFETs at cryogenic temperatures
    Han, Yi ; Xi, Fengben ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 192 (2022-06-01)
    Online academicJournal
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    Thermal cross-coupling effects in side-by-side UTBB-FDSOI transistors
    Costa, Fernando J. ; Trevisoli, Renan ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 185 (2021-11-01)
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Intrinsic ESD robustness on new high voltage N/PMOS devices in 28 nm FDSOI UTBB CMOS technology through TLP/VFTLP characterizations
    Galy, Ph. ; Jacquier, B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01)
    Online academicJournal
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    In-situ heater for thermal assist recovery of MOS devices in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology
    Galy, P. ; Lethiecq, R. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 168 (2020-06-01)
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Hafnia and alumina stacks as UTBOXs in silicon-on insulator
    Popov, V.P. ; Antonov, V.A. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 168 (2020-06-01)
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell
    Cai, C. ; Zhao, P.X. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 100-101 (2019-09-01)
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Mobility extraction for short channel UTBB-FDSOI MOSFETs under back bias using an accurate inversion charge density model
    Trojman, L. ; Ragnarsson, L. Å. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 24-30
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Static noise margin trade-offs for 6T-SRAM cell sizing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology
    Olivera, Fabián ; Petraglia, Antonio
    In: Microelectronics Journal, Jg. 78 (2018-08-01), S. 94-100
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    An in-depth analysis of temperature effect on DIBL in UTBB FD SOI MOSFETs based on experimental data, numerical simulations and analytical models
    Pereira, A.S.N. ; de Streel, G. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 67-71
    Online academicJournal
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    Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14 nm UTBB FDSOI technology
    Berthelon, R. ; Andrieu, F. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 72-79
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    UTBB FDSOI suitability for IoT applications: Investigations at device, design and architectural levels
    Berthier, Florent ; Beigne, Edith ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 125 (2016-11-01), S. 14-24
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    UTBB FDSOI: Evolution and opportunities
    Monfray, Stephane ; Skotnicki, Thomas
    In: Solid State Electronics, Jg. 125 (2016-11-01), S. 63-72
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    FinFET and UTBB for RF SOI communication systems
    Raskin, Jean-Pierre
    In: Solid State Electronics, Jg. 125 (2016-11-01), S. 73-81
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Ultra-wide voltage range pulse-triggered flip-flops and register file with tunable energy-delay target in 28 nm UTBB-FDSOI
    Bernard, Sébastien ; Belleville, Marc ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 57 (2016-11-01), S. 76-86
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Performance vs. reliability adaptive body bias scheme in 28 nm & 14 nm UTBB FDSOI nodes
    Ndiaye, C. ; Huard, V. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 64 (2016-09-01), S. 158-162
    Online academicJournal
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