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    Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows
    Qiu, Xinjia ; Lv, Zesheng ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 131, page 59-65 ; ISSN 0749-6036, 2019
    academicJournal
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    Role of the TMG flow rate on the GaN layer properties grown by MOVPE on (hkl) GaAs substrates
    Laifi, J. ; Saidi, C. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 101, page 253-261 ; ISSN 1369-8001, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage
    Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 490, page 56-60 ; ISSN 0022-0248, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 468, page 950-953 ; ISSN 0022-0248, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A two dimensional analytical modeling of surface potential in triple metal gate (TMG) fully-depleted Recessed-Source/Drain (Re-S/D) SOI MOSFET
    Priya, Anjali ; Mishra, Ram Awadh
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 92, page 316-329 ; ISSN 0749-6036, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 434, page 116-122 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 452, page 226-229 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modelling and simulation of tri-material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET using Legendre Wavelets for analog/RF applications
    Ramesh, R. ; Bhattacharyya, A. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 97, page 575-585 ; ISSN 0749-6036, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Numerical modeling of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET considering quantum mechanical effects
    Padmanaban, B. ; Ramesh, R. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 82, page 40-54 ; ISSN 0749-6036, 2015
    academicJournal
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    Numerical modeling on the optical characteristics of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET
    Ramesh, R. ; Madheswaran, M. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 85, page 418-432 ; ISSN 0749-6036, 2015
    academicJournal
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2/H2 excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 391, page 97-103 ; ISSN 0022-0248, 2014
    academicJournal
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    Magnetic properties and magnetocaloric effect in TmGa and HoGa single crystals
    Gao, Tian ; Nishimura, Katsuhiko ; et al.
    In: Solid State Communications ; volume 158, page 1-4 ; ISSN 0038-1098, 2013
    academicJournal
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    A development of the LED TMGa precursor reuse technology
    Yoon, Jae-sik ; Yang, Jae-yeol ; et al.
    In: Materials Letters ; volume 93, page 153-156 ; ISSN 0167-577X, 2013
    academicJournal
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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 62, issue 1, page 142-145 ; ISSN 0038-1101, 2011
    academicJournal
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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 256, issue 22, page 6694-6698 ; ISSN 0169-4332, 2010
    academicJournal
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    Morphological and luminescent characteristics of GaN dots deposited on AlN by alternate supply of TMG and NH3
    Tsai, Yu-Li ; Gong, Jyh-Rong ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 252, issue 10, page 3454-3459 ; ISSN 0169-4332, 2006
    academicJournal
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    Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 289, issue 2, page 428-432 ; ISSN 0022-0248, 2006
    academicJournal
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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 260, issue 3-4, page 388-393 ; ISSN 0022-0248, 2004
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 248, page 119-123 ; ISSN 0022-0248, 2003
    academicJournal
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    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T ; Tobita, H ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 221, issue 1-4, page 212-219 ; ISSN 0022-0248, 2000
    academicJournal
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