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    Understanding the influence of physical properties on the mechanical characteristics of Mg-doped GaN thin films.
    Benzarti, Z. ; Khalfallah, A. ; et al.
    In: Materials Chemistry & Physics, Jg. 307 (2023-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    MOCVD growth and thermal stability analysis of 1.2 µm InGaAs/GaAs multi quantum well structure.
    Chen, Xiangliu ; Xiao, Yao ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 922 (2022-11-20), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
    Online academicJournal
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    An innovative approach for controlled epitaxial growth of GaAs in real MOCVD reactor environment.
    Saxena, Praveen K. ; Srivastava, Pankaj ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 809 (2019-11-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for λ > 1.55 μm laser diodes.
    Lin, Tao ; Sun, Hang ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 631 (2015-05-15), S. 283-287
    Online academicJournal
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    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
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    The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire.
    Peng, Liyuan ; Liu, Shuangtao ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 135 (2021-11-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Characterization of Al <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−x </subscript>As layers grown on (100) GaAs by metallic-arsenic-based-MOCVD
    Díaz-Reyes, J. ; Galván-Arellano, M. ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1182-1186
    Online academicJournal
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    Chemical characterization of gallium droplets grown by LP-MOCVD
    Imhoff, L. ; Heintz, O. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 253 (2006-12-30), Heft 5, S. 2820-2824
    Online academicJournal
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    Amorphous gallium oxide nanowires synthesized by metalorganic chemical vapor deposition
    Kim, Nam Ho ; Kim, Hyoun Woo ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 111 (2004-08-25), Heft 2/3, S. 131-134
    Online academicJournal
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    Formation of amorphous and crystalline gallium oxide nanowires by metalorganic chemical vapor deposition
    Kim, Hyoun Woo ; Kim, Nam Ho
    In: Applied Surface Science, Jg. 233 (2004-06-30), Heft 1-4, S. 294-298
    Online academicJournal
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    Growth of gallium oxide thin films on silicon by the metal organic chemical vapor deposition method
    Kim, Hyoun Woo ; Kim, Nam Ho
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 110 (2004-06-25), Heft 1, S. 34-37
    Online academicJournal
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    Growth of network structured carbon-doped GaN (GaN:C) nanowires using a modified metal-organic chemical vapor deposition.
    Kim, Hong Tak ; Kim, Chan-Duk ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 123 (2016), S. 82-85
    Online academicJournal
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