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    Trace Al component in ε-(AlxGa1-x)2O3 alloy films and film-based solar-blind photodetectors.
    Gao, Yangyang ; Tian, Xusheng ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 48 (2022-08-01), Heft 15, S. 22031-22038
    Online academicJournal
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    Growth and properties analysis of AlxGa2-xO3 thin film by radio frequency magnetron sputtering using Al/Ga2O3 target.
    Nie, Yiyin ; Jiao, Shujie ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 798 (2019-08-25), S. 568-575
    Online academicJournal
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    First principle and experimental study on AlxMg1-xO compound thin films for electronic, optical, and antibacterial activity.
    Waseem, Salma ; Zeeshan, Talat ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 372 (2023-10-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Effects of nanotwins on the mechanical properties of AlxCoCrFeNi high entropy alloy thin films.
    Feng, X.B. ; Fu, W. ; et al.
    In: Scripta Materialia, Jg. 139 (2017-10-01), S. 71-76
    Online academicJournal
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    Metalorganic vapor-phase epitaxy of β-(AlxGa1-x)2O3 on ([formula omitted] 0 1) Ga2O3 substrates.
    Zheng, Xueyi ; Zheng, Jun ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 603 (2023-02-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Computer simulation of the photocurrent collection coefficient in solar cells based on the textured thin-film Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As–GaAs heterostructure
    Borkovskaya, O. ; Yu. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 451/452 (2004-03-22), S. 402-407
    Online academicJournal
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    Photoelectrochemical behavior of AlxIn1−xN thin films grown by plasma-assisted dual source reactive evaporation.
    Alizadeh, M. ; Ganesh, V. ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 670 (2016-06-15), S. 229-238
    Online academicJournal
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    Far-infrared dielectric function and phonon modes of spontaneously ordered (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>0.52</subscript>In<subscript>0.48</subscript>P
    Hofmann, Tino ; Schubert, Mathias ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 455/456 (2004-05-01), S. 601-604
    Online academicJournal
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    Behaviors of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N (0.5⩽<f>x</f>⩽1.0)/GaN short period strained-layer superlattices on the threading dislocation density reduction in GaN films
    Gong, J.R. ; Huang, C.W. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-02), Heft 1/2, S. 73-78
    Online academicJournal
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    Femtosecond-laser induced two-photon absorption of GaN and AlxGa1-xN thin films: Tuning the nonlinear optical response by alloying and doping.
    Vivas, M.G. ; Manoel, D.S. ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 825 (2020-06-05), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Synthesis of high Al content AlxGa1−xN ternary films by pulsed laser co-ablation of GaAs and Al targets assisted by nitrogen plasma.
    Cai, Hua ; You, Qinghu ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 616 (2014-12-15), S. 137-141
    Online academicJournal
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    A study at room temperature and 55°C on the charge–discharge characteristics of Si<subscript>(100−x)</subscript>Al<subscript>x</subscript> thin film anode for Li-ion batteries
    Shih, Yueh-Ting ; Wu, Chao-Han ; et al.
    In: Surface & Coatings Technology, Jg. 215 (2013-01-25), S. 79-84
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    Ultraviolet emission efficiencies of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N films pseudomorphically grown on Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>N template (x<y) with various Al-content combinations
    Fu, D. ; Zhang, R. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 519 (2011-09-01), Heft 22, S. 8013-8017
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    Effect of the electric field in glow discharge plasma sheath on the optoelectronic properties of the AlxZn1-xO thin films.
    Amini, A. ; Zakerhamidi, M.S. ; et al.
    In: Optik - International Journal for Light & Electron Optics, Jg. 239 (2021-08-01), S. N.PAG
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    Brillouin characterization of the acousticwaves phase-velocity in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N epilayers
    Rubio-Zuazo, J. ; Jiménez-Riob, R.J. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 93 (2002-05-30), Heft 1-3, S. 168-171
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    Strain relaxation and dislocation annihilation in compositionally graded α-(AlxGa1-x)2O3 layer for high voltage α-Ga2O3 power devices.
    Kim, Byungsoo ; Yang, Duyoung ; et al.
    In: Acta Materialia, Jg. 221 (2021-12-01), S. N.PAG
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    Epitaxial growth of γ-(AlxGa1-x)2O3 alloy thin films on spinel substrates via mist chemical vapor deposition.
    Horie, Ryuto ; Nishinaka, Hiroyuki ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 851 (2021-01-15), S. N.PAG
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    Comparative studies on optoelectronic properties of epitaxial MgxCr2-xO3 and AlxCr2-xO3 (x = 0, 0.1, 0.2 and 0.3) thin films deposited on sapphire substrates.
    Singh, Jarnail ; Kumar, Rajesh ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 847 (2020-12-20), S. N.PAG
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