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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN.
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 468 (2017-06-15), S. 950-953
    Online academicJournal
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    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition.
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 452 (2016-10-15), S. 226-229
    Online academicJournal
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    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa.
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 434 (2016-01-15), S. 116-122
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 62 (2011-08-01), Heft 1, S. 142-145
    Online academicJournal
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    LP-MOCVD growth of ternary B <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> As epilayers on (001)GaAs substrates using TEB, TMGa and AsH<subscript>3</subscript>
    Wang, Qi ; Ren, Xiaomin ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008-12-01), Heft 12, S. 1678-1682
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Fast growth rate of epitaxial β–Ga2O3 by close coupled showerhead MOCVD.
    Alema, Fikadu ; Hertog, Brian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 475 (2017-10-01), S. 77-82
    Online academicJournal
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    Effect of growth conditions on the Al composition and optical properties of AlxGa1 −xN layers grown by atmospheric-pressure metal organic vapor phase epitaxy.
    Soltani, S. ; Bouzidi, M. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 630 (2017-05-30), S. 2-6
    Online academicJournal
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    Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates.
    Fujii, Hiromasa ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 3-9
    Online academicJournal
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    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
    Online academicJournal
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    Ethylene for carbon doping of GaN by atmospheric pressure metal organic chemical vapor deposition.
    Zhang, Li ; Dong, Zhongyuan ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 345 (2023-08-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High throughput MOVPE and accelerated growth rate of GaAs for PV application.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 509 (2019-03-01), S. 87-90
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE
    Deura, Momoko ; Kondo, Yoshiyuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-04-01), Heft 8, S. 1353-1358
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Characterizations of GaN film growth by ECR plasma chemical vapor deposition
    Fu, Silie ; Chen, Junfang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-06-01), Heft 12, S. 3325-3331
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer.
    Liang, Feng ; Zhao, Degang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 467 (2017-06-01), S. 1-5
    Online academicJournal
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