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    academicJournal
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    Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3.
    Pansila, P. ; Kanomata, K. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 357 (2015-12-02), S. 1920-1927
    Online academicJournal
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    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
    Online academicJournal
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    The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
    Komae, Yasuaki ; Saitou, Takeshi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2009-04-30), Heft 12, S. 3528-3531
    Online academicJournal
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    Growth of GaN on SiC/Si substrates using AlN buffer layer by hot-mesh CVD
    Tamura, Kazuyuki ; Kuroki, Yuichiro ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-01-15), Heft 5, S. 659-662
    Online academicJournal
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    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
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    New approach of Nano-Selective Area Growth (NSAG) for a precise control of GaN nanodots grown by MOVPE
    Martin, J. ; Martinez, A. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 147 (2008-02-15), Heft 2/3, S. 114-117
    Online academicJournal
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    Growth of network structured carbon-doped GaN (GaN:C) nanowires using a modified metal-organic chemical vapor deposition.
    Kim, Hong Tak ; Kim, Chan-Duk ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 123 (2016), S. 82-85
    Online academicJournal
    Zugriff:
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