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    The role of carbon and C-H neutralization in MOCVD β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> using TMGa as precursor.
    Meng, Lingyu ; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-06-05), Heft 23, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Flexible fast responding solar-blind photodetectors based on (TmGa)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> films grown on mica.
    Qu, Qiulin ; Liu, Qi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 120 (2022-03-21), Heft 12, S. 1-7
    Online academicJournal
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    The influence of temperature and TMGa flow rate on the quality of p-GaN.
    Cao, Zikun ; Wang, Xiaowei ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 11 (2021-03-01), Heft 3, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Thermoelectric properties of semiconductorlike intermetallic compounds TMGa<subscript>3</subscript> (TM=Fe, Ru, and Os).
    Amagai, Y. ; Yamamoto, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-11-15), Heft 10, S. 5644-5648
    Online academicJournal
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    Low field induced giant magnetocaloric effect in TmGa compound.
    Mo, Zhao-Jun ; Shen, Jun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 103 (2013-07-29), Heft 5, S. 52409-52412
    Online academicJournal
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    Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa<subscript>3</subscript> and TmGa<subscript>3</subscript>.
    B.#Pluzhnikov, V. ; E.#Grechnev, G. ; et al.
    In: Low Temperature Physics, Jg. 31 (2005-03-01), Heft 3/4, S. 313-320
    Online academicJournal
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    Resource Letter TMGR-1: Teaching the mathematics of general relativity.
    Wald, Robert M.
    In: American Journal of Physics, Jg. 74 (2006-06-01), Heft 6, S. 471-477
    Online academicJournal
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    TMGa/TEGa interactions in metalorganic molecular beam epitaxy.
    Kamp, M. ; Morsch, G.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-01-16), Heft 3, S. 367-369
    Online academicJournal
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    Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa<subscript>3</subscript> and TmGa<subscript>3</subscript>.
    B.#Pluzhnikov, V. ; E.#Grechnev, G. ; et al.
    In: Low Temperature Physics, Jg. 31 (2005-03-01), Heft 3/4, S. 313-320
    Online academicJournal
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    Adsorption mechanism of dimeric Ga precursors in metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride.
    Kim, Hankyu ; Kim, Miso ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-12-01), Heft 6, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Adsorption and decomposition of TMGa on GaAs(100).
    Stienstra, J. ; Lewis, B. S. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 10 (1992-07-01), Heft 4, S. 920-925
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effects of TMG/AsH3 ratio on GaAs molecular layer growth.
    Nishizawa, Jun-ichi ; Kurabayashi, Toru
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures, Jg. 13 (1995-05-01), Heft 3, S. 1024-1029
    Online academicJournal
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    Challenges in atomic layer etching of gallium nitride using surface oxidation and ligand-exchange.
    Messina, Daniel C. ; Hatch, Kevin A. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-03-01), Heft 2, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Structural and Magnetic Properties of TMGe<subscript>n</subscript> (TM = Mn,Co,Ni) For n = 1-13.
    Kapila, Neha ; Sharma, Hitesh ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1349 (2011-07-16), Heft 1, S. 1171-1172
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Plasma enhanced atomic layer deposition and atomic layer etching of gallium oxide using trimethylgallium.
    Hatch, Kevin A. ; Messina, Daniel C. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 40 (2022-07-01), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Parameters study on the growth of GaAs nanowires on indium tin oxide by metal-organic chemical vapor deposition.
    Wu, Dan ; Tang, Xiaohong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-03-07), Heft 9, S. 94305-1- (6S.)
    Online academicJournal
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    Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n<superscript>+</superscript>-Si junctions.
    Saito, Y. ; Ishikawa, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), Heft 17, S. 17C707-1- (4S.)
    Online academicJournal
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    Influences of group-III source preflow on the polarity, optical, and structural properties of GaN grown on nitridated sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition.
    Li, Chengguo ; Liu, Hongfei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-03-28), Heft 12, S. 125305-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    InGaAs/GaAsP superlattice solar cells with reduced carbon impurity grown by low-temperature metal-organic vapor phase epitaxy using triethylgallium.
    Fujii, Hiromasa ; Toprasertpong, Kasidit ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-11-28), Heft 20, S. 203101-1- (8S.)
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    MOCVD growth of high purity Ga2O3 epitaxial films using trimethylgallium precursor.
    Seryogin, George ; Alema, Fikadu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-28), Heft 26, S. 1-6
    Online academicJournal
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