Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
2.593 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Verlag

Publikation

Sprache

Geographischer Bezug

Inhaltsanbieter

2.593 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    The effect of Fe<subscript>Ga</subscript> (0/–) level presence on material properties in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N layers.
    Sun, L. ; Kruszewski, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-05-07), Heft 17, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Atomic and electronic origin of robust off-state insulation properties in Al-rich Al<subscript>x</subscript>Te<subscript>y</subscript> glass for ovonic threshold switching applications.
    Li, Xiao-Dong ; Tian, Maoan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-28), Heft 20, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Room temperature two-dimensional electron gas scattering time, effective mass, and mobility parameters in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN heterostructures (0.07 ≤ x ≤ 0.42).
    Knight, Sean ; Richter, Steffen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-14), Heft 18, S. 1-12
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Ab initio study of effects of Al on the defect behaviors of Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi high entropy alloys.
    Shu, Yue ; Wang, Rui ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-06-07), Heft 21, S. 1-12
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fe<subscript>Ga</subscript> (0/−) acceptor level as a reference energy level in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N.
    Kruszewski, P. ; Plesiewicz, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-06-03), Heft 23, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Reduced temperature in lateral (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterojunction field effect transistor capped with nanocrystalline diamond.
    Masten, Hannah N. ; Lundh, James Spencer ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-04-08), Heft 15, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Crystallographic and band structure analysis of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/β-(In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin film grown on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> substrate via mist CVD
    Kaneko, Masahiro ; Nishinaka, Hiroyuki ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Bulk single crystals and physical properties of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> (x = 0–0.35) grown by the Czochralski method.
    Galazka, Zbigniew ; Fiedler, Andreas ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-01-21), Heft 3, S. 1-11
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    In situ MOCVD growth and band offsets of Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> dielectric on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> and β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-10-28), Heft 16, S. 1-13
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigation of the surface band structure and the evolution of defects in β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>.
    Li, J. ; Chen, X. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-03-11), Heft 11, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN HEMT.
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Assessment of channel temperature in β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterostructure field-effect transistors using visible wavelength thermoreflectance thermal imaging.
    Lundh, James Spencer ; Pavlidis, Georges ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-01-29), Heft 5, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -