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    Influence of ultrathin AlN interlayer on the microstructure and the electrical transport properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Song, J. ; Xu, F. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-10-15), Heft 8, S. 83711-83715
    Online academicJournal
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    Tensile stress generation and dislocation reduction in Si-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N films.
    Manning, I. C. ; Weng, X. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-07-15), Heft 2, S. 23506-23512
    Online academicJournal
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    Morphology and microstructure evolution of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N epilayers grown on GaN/sapphire templates with AlN interlayers observed by transmission electron microscopy.
    Lu, L. ; Shen, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-06-01), Heft 11, S. 113510-113513
    Online academicJournal
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    On the microstructure of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers grown on 6H-SiC(0001) substrates.
    Kröger, Roland ; Einfeldt, Sven ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-04-15), Heft 8, S. 83501-83508
    Online academicJournal
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    Investigation of Mg doping in high-Al content p-type Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N (0.3<x<0.5).
    Jeon, S. R. ; Ren, Z. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-02-21), Heft 8, S. 82107-82109
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    In situ measurement of stress generation arising from dislocation inclination in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N:Si thin films.
    Acord, Jeremy D. ; Manning, Ian C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 93 (2008-09-15), Heft 11, S. 111910-111912
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    Understanding the Rocksalt-to-Wurtzite phase transformation through microstructural analysis of (Al,Sc)N epitaxial thin films.
    Saha, Bivas ; Saber, Sammy ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-10-24), Heft 17, S. 172102-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    High conductive gate leakage current channels induced by In segregation around screw- and mixed-type threading dislocations in lattice-matched In<subscript>x</subscript>Al<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Song, J. ; Xu, F. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-12-06), Heft 23, S. 232106-232108
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