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    Adsorption mechanism of dimeric Ga precursors in metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride.
    Kim, Hankyu ; Kim, Miso ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-12-01), Heft 6, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Influences of group-III source preflow on the polarity, optical, and structural properties of GaN grown on nitridated sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition.
    Li, Chengguo ; Liu, Hongfei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-03-28), Heft 12, S. 125305-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    Resonant and nonresonant vibrational excitation of ammonia molecules in the growth of gallium nitride using laser-assisted metal organic chemical vapour deposition.
    Rabiee Golgir, Hossein ; Yun Shen Zhou ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-14), Heft 10, S. 105303-1- (8S.)
    Online academicJournal
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    Reaction mechanisms in the organometallic vapor phase epitaxial growth of GaAs.
    Larsen, C. A. ; Buchan, N. I. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-02-08), Heft 6, S. 480-482
    Online academicJournal
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    Thickness inhomogeneities and growth mechanisms of GaP heteroepitaxy by organometallic chemical vapor deposition.
    Liu, X. ; Aspnes, D. E.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 28 (2010-07-01), Heft 4, S. 583-589
    Online academicJournal
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    Effect of controlled growth rate on the tilt mosaic microstructure of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire.
    Lee, Yong Seok ; Kim, Hun ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1399 (2011-12-22), Heft 1, S. 111-112
    Online Konferenz
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    Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine.
    Hanna, M. C. ; Lu, Z. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-09-10), Heft 11, S. 1120-1122
    Online academicJournal
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    Carbon tetrachloride doped AlxGa1-xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cunningham, B. T. ; Baker, J. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-02-26), Heft 9, S. 836-838
    Online academicJournal
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    Use of tertiarybutylarsine for GaAs growth.
    Chen, C. H. ; Larsen, C. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-01-26), Heft 4, S. 218-220
    Online academicJournal
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    GaInAsSb metastable alloys grown by organometallic vapor phase epitaxy.
    Cherng, M. J. ; Stringfellow, G. B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 48 (1986-02-10), Heft 6, S. 419-421
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor phase epitaxial growth and characterization of high purity GaInAs on InP.
    Carey, Kent W.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 46 (1985), Heft 1, S. 89-91
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor phase epitaxial growth of high purity GaInAs using trimethylindium.
    Kuo, C. P. ; Yuan, J. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-03-01), Heft 5, S. 550-552
    Online academicJournal
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