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    First-principles surface energies for monoclinic Ga2O3 and Al2O3 and consequences for cracking of (AlxGa1−x)2O3
    Mu, Sai ; Wang, Mengen ; et al.
    2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    On the microstructure of AlxGa1-xN layers grown on 6H-SiC(0001) substrates
    Kröger, R. ; Einfeldt, S. ; et al.
    2005
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On the determination of the glass forming ability of AlxZr 1-x alloys using molecular dynamics, Monte Carlo simulations, and classical thermodynamics
    Harvey, Jean-Philippe ; Gheribi, Aïmen E. ; et al.
    2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich AlxGa1−xN ternary alloys
    Kittaka, Ryo ; Muto, Hirotaka ; et al.
    2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-reflectivity AlxGa1-xN/AlyGa1-yN distributed Bragg reflectors with peak wavelength around 350 nm
    Wang, T. ; Lynch, R.J. ; et al.
    In: http://infoscience.epfl.ch/record/154811, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of alloy composition and interlayer thickness on twist and tilt mosaic in AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures.
    Lafford, T. A. ; Parbrook, P. J. ; et al.
    In: Applied physics letters, 2003, Vol.83(26), pp.5434-5436 [Peer Reviewed Journal], 2003
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Cathodoluminescence measurement of an orientation dependent aluminum concentration in AlxGa1−xAs epilayers grown by molecular beam epitaxy on a nonplanar substrate
    Hoenk, Michael E. ; Chen, Howard Z. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, 54(14), 1347-1349, (1989-04-03, 1989
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A deep‐level spectroscopic technique for determining capture cross‐section activation energy of Si‐related DX centers in AlxGa1-xAs
    Ghosh, Subhasis ; Kumar, Vikram
    1994
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Compositional modulation in AlxGa1−xAs epilayers grown by molecular beam epitaxy on the (111) facets of grooves in a nonplanar substrate
    Hoenk, Michael E. ; Nieh, C. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, 55(1), 53-55, (1989-07-03, 1989
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High pressure measurements on visible spectrum AlxGa1−xAs heterostructure lasers: 7100–6750-Å 300-K operation
    Kirchoefer, S. W. ; Meehan, K. ; et al.
    1982
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Impurity-induced disordering of single well AlxGa1−xAs-GaAs quantum well heterostructures
    Meehan, K. ; Brown, J. M. ; et al.
    1984
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Impurity-disordered, coupled-stripe AlxGa1−xAs-GaAs quantum well laser
    Gavrilovic, P. ; Meehan, K. ; et al.
    1985
    academicJournal
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    Stacking and layer disordering of AlxGa1−xAs-GaAs quantum well heterostructures
    Meehan, K. ; Hsieh, K. C. ; et al.
    1986
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Implantation disordering of AlxGa1−xAs superlattices
    Gavrilovic, P. ; Deppe, D. G. ; et al.
    1985
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Si-Si pair diffusion and correlation in AlxGa1−xAs and GaAs
    Gavrilovic, P. ; Gavrilovic, J. ; et al.
    1985
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Stripe-geometry AlxGa1−xAs-GaAs quantum well heterostructure lasers defined by Si diffusion and disordering
    Meehan, K. ; Gavrilović, P. ; et al.
    1985
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Disorder of an AlxGa1−xAs-GaAs superlattice by donor diffusion
    Meehan, K. ; Holonyak, N. ; et al.
    1984
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Photoluminescence and stimulated emission in Si- and Ge-disordered AlxGa1−xAs-GaAs superlattices
    Kaliski, R. W. ; Gavrilovic, P. ; et al.
    1985
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Thermal-anneal wavelength modification of multiple-well p-n AlxGa1−x As-GaAs quantum-well lasers
    Meehan, K. ; Brown, J. M. ; et al.
    1984
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Donor-induced disorder-defined buried-heterostructure AlxGa1-xAs-GaAs quantum-well lasers
    Meehan, K. ; Gavrilovic, P. ; et al.
    1985
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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