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    The effect of Fe<subscript>Ga</subscript> (0/–) level presence on material properties in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N layers.
    Sun, L. ; Kruszewski, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-05-07), Heft 17, S. 1-7
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    Atomic and electronic origin of robust off-state insulation properties in Al-rich Al<subscript>x</subscript>Te<subscript>y</subscript> glass for ovonic threshold switching applications.
    Li, Xiao-Dong ; Tian, Maoan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-28), Heft 20, S. 1-9
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    Ab initio study of effects of Al on the defect behaviors of Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi high entropy alloys.
    Shu, Yue ; Wang, Rui ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-06-07), Heft 21, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Characteristics of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> dual-metal gate modulation-doped field-effect transistors simulated by TCAD.
    Jia, Xiaole ; Wang, Yibo ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics, Jg. 42 (2024-05-01), Heft 3, S. 1-7
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    Reduced temperature in lateral (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterojunction field effect transistor capped with nanocrystalline diamond.
    Masten, Hannah N. ; Lundh, James Spencer ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-04-08), Heft 15, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Crystallographic and band structure analysis of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/β-(In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin film grown on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> substrate via mist CVD
    Kaneko, Masahiro ; Nishinaka, Hiroyuki ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of α-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by suboxide molecular-beam epitaxy at 1 µm/h.
    Steele, Jacob ; Azizie, Kathy ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 12 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Room temperature two-dimensional electron gas scattering time, effective mass, and mobility parameters in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN heterostructures (0.07 ≤ x ≤ 0.42).
    Knight, Sean ; Richter, Steffen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-14), Heft 18, S. 1-12
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    In situ MOCVD growth and band offsets of Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> dielectric on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> and β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-10-28), Heft 16, S. 1-13
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    Investigation of the surface band structure and the evolution of defects in β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>.
    Li, J. ; Chen, X. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-03-11), Heft 11, S. 1-6
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    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN HEMT.
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-7
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    Bulk single crystals and physical properties of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> (x = 0–0.35) grown by the Czochralski method.
    Galazka, Zbigniew ; Fiedler, Andreas ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-01-21), Heft 3, S. 1-11
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    Coherently strained (001) β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>: Growth and compositional analysis.
    Mauze, Akhil ; Itoh, Takeki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-09-21), Heft 11, S. 1-8
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    Assessment of channel temperature in β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterostructure field-effect transistors using visible wavelength thermoreflectance thermal imaging.
    Lundh, James Spencer ; Pavlidis, Georges ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-01-29), Heft 5, S. 1-10
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    Si doping in MOCVD grown (010) β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films.
    Bhuiyan, A. F. M. Anhar Uddin ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 131 (2022-04-01), Heft 14, S. 1-11
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    An electron paramagnetic resonance study of the electron transport in heavily Si-doped high Al content Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N.
    Zvanut, M. E. ; Hanle, Jackson P. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 13 (2023-12-01), Heft 12, S. 1-6
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    Alloy splitting of the Fe<subscript>Ga</subscript> acceptor level in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N.
    Kruszewski, P. ; Markevich, V. P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-11-27), Heft 22, S. 1-6
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    Experimental determination of critical thickness limitations of (010) β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heteroepitaxial films.
    Lundh, James Spencer ; Huynh, Kenny ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-11-27), Heft 22, S. 1-7
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    Microstructural characterization of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN high electron mobility transistor layers on 200 mm Si(111) substrates.
    Aabdin, Zainul ; Mahfoud, Zackaria ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-10-02), Heft 14, S. 1-6
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    Polarization engineering of two-dimensional electron gas at ε-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1–x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/ε-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterostructure.
    Wang, Yan ; Cao, Jiahe ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-10-02), Heft 14, S. 1-6
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