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1.803 Treffer

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    High-frequency and below bandgap anisotropic dielectric constants in alpha-(AlxGa1-x)(2)O-3 (0 <= x <= 1)
    2021
    Online Elektronische Ressource
    Zugriff:
    Zum Datensatz bei OAister, evt. Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Correction: Erratum: “Phonon-boundary scattering and thermal transport in AlxGa1−xN: Effect of layer thickness” [Appl. Phys. Lett. 117, 252102 (2020)]
    2021
    Online Elektronische Ressource
    Zugriff:
    Zum Datensatz bei OAister, evt. Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    FeGa (0/−) acceptor level as a reference energy level in dilute AlxGa1−xN
    Kruszewski, P. ; Plesiewicz, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 124, issue 23 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The effect of FeGa (0/–) level presence on material properties in dilute AlxGa1−xN layers
    Sun, L. ; Kruszewski, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 135, issue 17 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Investigation of the surface band structure and the evolution of defects in β-(AlxGa1−x)2O3
    Li, J. ; Chen, X. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 124, issue 11 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 14, issue 3 ; ISSN 2158-3226, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Metalorganic chemical vapor deposition of α-Ga2O3 and α-(AlxGa1−x)2O3 thin films on m-plane sapphire substrates
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: APL Materials ; volume 9, issue 10 ; ISSN 2166-532X, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Refractive indices of MBE-grown AlxGa(1−x)As ternary alloys in the transparent wavelength region
    Papatryfonos, Konstantinos ; Angelova, Todora ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 11, issue 2 ; ISSN 2158-3226, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Bandgap bowing parameter and alloy fluctuations for β-(Alx Ga1−x)2O3 alloys for x ≤ 0.35 determined from low temperature optical reflectivity
    Bhattacharjee, Jayanta ; Ghosh, Sahadeb ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 11, issue 7 ; ISSN 2158-3226, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Atomic scale investigation of aluminum incorporation, defects, and phase stability in β-(AlxGa1−x)2O3 films
    Johnson, Jared M. ; Huang, Hsien-Lien ; et al.
    In: APL Materials ; volume 9, issue 5 ; ISSN 2166-532X, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    γ-phase inclusions as common structural defects in alloyed β-(Alx Ga1−x)2O3 and doped β-Ga2O3 films
    Chang, Celesta S. ; Tanen, Nicholas ; et al.
    In: APL Materials ; volume 9, issue 5 ; ISSN 2166-532X, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Epitaxial growth of (Alx Ga1−x)2O3 thin films on sapphire substrates by plasma assisted pulsed laser deposition
    Chen, Zewei ; Arita, Makoto ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 11, issue 3 ; ISSN 2158-3226, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Conductive Si-doped α-(AlxGa1−x)2O3 thin films with the bandgaps up to 6.22 eV
    Dang, Giang ; Tagashira, Y ; et al.
    2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth, structural and optical properties of coherent κ-(Alx Ga1−x)2O3/κ-Ga2O3 quantum well superlattice heterostructures
    Kneiß, M. ; Storm, P. ; et al.
    In: APL Materials ; volume 8, issue 5 ; ISSN 2166-532X, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Solubility limit and material properties of a κ-(Alx Ga1−x)2O3 thin film with a lateral cation gradient on (00.1)Al2O3 by tin-assisted PLD
    Hassa, A. ; Sturm, C. ; et al.
    In: APL Materials ; volume 8, issue 2 ; ISSN 2166-532X, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: APL Materials ; volume 8, issue 3 ; ISSN 2166-532X, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    α -(AlxGa1−x)2O3 single-layer and heterostructure buffers for the growth of conductive Sn-doped α-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition
    Dang, Giang T. ; Sato, Shota ; et al.
    In: APL Materials ; volume 8, issue 10 ; ISSN 2166-532X, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    First-principles surface energies for monoclinic Ga2O3 and Al2O3 and consequences for cracking of (Alx Ga1−x)2O3
    Mu, Sai ; Wang, Mengen ; et al.
    In: APL Materials ; volume 8, issue 9 ; ISSN 2166-532X, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Weak localization and dimensional crossover in compositionally graded AlxGa1−xN
    Al-Tawhid, Athby ; Shafe, Abdullah-Al ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 118, issue 8 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Erratum: “Low field transport calculation of 2-dimensional electron gas in β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 heterostructures” [J. Appl. Phys. 128, 105703 (2020)]
    Kumar, Avinash ; Ghosh, Krishnendu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 129, issue 10 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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