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    The role of carbon and C-H neutralization in MOCVD β-Ga2O3 using TMGa as precursor
    Meng, Lingyu ; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 122, issue 23 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Flexible fast responding solar-blind photodetectors based on (TmGa)2O3 films grown on mica
    Qu, Qiulin ; Liu, Qi ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 120, issue 12 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The influence of temperature and TMGa flow rate on the quality of p -GaN
    Cao, Zikun ; Wang, Xiaowei ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 11, issue 3 ; ISSN 2158-3226, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low field induced giant magnetocaloric effect in TmGa compound
    Mo, Zhao-Jun ; Shen, Jun ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 103, issue 5 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa3 and TmGa3
    Pluzhnikov, V. B. ; Grechnev, G. E. ; et al.
    In: Low Temperature Physics ; volume 31, issue 3, page 313-320 ; ISSN 1063-777X 1090-6517, 2005
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Thermoelectric properties of semiconductorlike intermetallic compounds TMGa3 (TM=Fe, Ru, and Os)
    Amagai, Y. ; Yamamoto, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 96, issue 10, page 5644-5648 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2004
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Determination of the excess surface arsenic concentration in the metalorganic molecular beam epitaxial growth of GaAs using TMGa and As2
    Kaneko, T. ; Joyce, B. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 67, issue 7, page 998-1000 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1995
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    TMGa /TEGa interactions in metalorganic molecular beam epitaxy
    Kamp, M. ; Mörsch, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 66, issue 3, page 367-369 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 1995
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Detection of the onset of nanocrystallization by calorimetric and magnetic measurements
    Blázquez Gámez, Javier Sebastián ; García Franco, Victorino ; et al.
    2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Surface structure of MgO underlayer with Ti diffusion for (002) oriented L 1 FePt-based heat assisted magnetic recording media
    Hinata, Sintaro ; Jo, Shin ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 8, issue 5 ; ISSN 2158-3226, 2018
    academicJournal
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    MOCVD growth of high purity Ga2O3 epitaxial films using trimethylgallium precursor
    Seryogin, George ; Alema, Fikadu ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 117, issue 26 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2020
    academicJournal
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    The design of a wide bandwidth time marker generator
    Huang, Lei ; Tian, Shulin ; et al.
    In: Review of Scientific Instruments ; volume 89, issue 11 ; ISSN 0034-6748 1089-7623, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Surface Chemistry of Ga(CH3)3 on Pd(111) and Effect of Pre-covered H and O
    Ding, Liang-bing ; Ma, Yun-sheng ; et al.
    In: Chinese Journal of Chemical Physics ; volume 29, issue 5, page 591-599 ; ISSN 1674-0068 2327-2244, 2016
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Parameters study on the growth of GaAs nanowires on indium tin oxide by metal-organic chemical vapor deposition
    Wu, Dan ; Tang, Xiaohong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 119, issue 9 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2016
    academicJournal
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    Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n+-Si junctions
    Saito, Y. ; Ishikawa, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 117, issue 17 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2015
    academicJournal
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    InGaAs/GaAsP superlattice solar cells with reduced carbon impurity grown by low-temperature metal-organic vapor phase epitaxy using triethylgallium
    Fujii, Hiromasa ; Toprasertpong, Kasidit ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 116, issue 20 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2014
    academicJournal
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    Post-oxidized Mg-Al-O(001) coherent tunneling barrier in a wide range of resistance-area products
    Sukegawa, Hiroaki ; Inomata, Koichiro ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 105, issue 9 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2014
    academicJournal
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    Effect of thickness of MgO, Co-Fe-B, and Ta layers on perpendicular magnetic anisotropy of [Ta/Co60Fe20B20/MgO]5 multilayered films
    Yuan, Fu-Te ; Lin, Yi-Hung ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 111, issue 7 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2012
    academicJournal
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    Suppression of in-plane tunneling anisotropic magnetoresistance effect in Co2MnSi/MgO/n-GaAs and CoFe/MgO/n-GaAs junctions by inserting a MgO barrier
    Akiho, Takafumi ; Uemura, Tetsuya ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 98, issue 23 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Temperature dependence of resistance in epitaxial Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions
    Ma, Q. L. ; Wang, S. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters ; volume 95, issue 5 ; ISSN 0003-6951 1077-3118, 2009
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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