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    Design of kV-Class and Low R ON E-Mode β-Ga 2 O 3 Current Aperture Vertical Transistors With Delta-Doped β-(AlxGa 1−x ) 2 O 3 /Ga 2 O 3 Heterostructure
    Wang, Dawei ; Mudiyanselage, Dinusha Herath ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 70, issue 11, page 5795-5802 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2023
    Online academicJournal
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    Improving GaP Solar Cell Performance by Passivating the Surface Using AlxGa1-xP Epi-Layer
    Lu, Xuesong ; Hao, Ruiying ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society ; volume 1, issue 5, page 111-116 ; ISSN 2168-6734, 2013
    Online academicJournal
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    Low-Voltage, Flexible InGaZnO Thin-Film Transistors Gated with Solution-Processed, Ultra-Thin AlxOy
    Cai, Wensi ; Wilson, Joshua ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters ; page 1-1 ; ISSN 0741-3106 1558-0563, 2018
    Online academicJournal
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    High Performance Solar-Blind Ultraviolet \(320 \times 256\) Focal Plane Arrays Based on AlxGa1-xN
    Cicek, Erdem ; McClintock, Ryan ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics ; volume 50, issue 8, page 593-597 ; ISSN 0018-9197 1558-1713, 2014
    Online academicJournal
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    Ultrafast carrier–carrier scattering in AlxGa1−xAs/GaAs quantum wells
    Sun, K
    In: Physica B: Condensed Matter ; volume 272, issue 1-4, page 387-390 ; ISSN 0921-4526, 1999
    academicJournal
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    Decay of the longitudinal optical phonons in wurtzite GaN and AlxGa1−xN
    Tsen, K
    In: Physica B: Condensed Matter ; volume 272, issue 1-4, page 406-408 ; ISSN 0921-4526, 1999
    academicJournal
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    Detailed investigation of electron transport, capture and, gain in Al0.3Ga0.7As/GaAs quantum well infrared photodetectors
    Cellek, OO ; Beşikci, Cengiz
    2004
    Online academicJournal
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