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    Performance Analysis of Normally-Off $\beta-(\text{AlxGa} 1-\mathrm{x})_{2} \mathrm{O}_{3} / \text{Ga}_{2} \mathrm{O}_{3}$ High Electron Mobility Transistor (HEMT) With p-GaN Gate and Addon AlGa 2 O 3 Layer
    Mukherjee, Praskandan ; Kashyap, Nitesh ; et al.
    In: 2023 3rd International Conference on Advancement in Electronics & Communication Engineering (AECE, 2023
    Online Konferenz
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    Impact of Donor Ionization on 2DEG Charge Density in δ-Doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 HFET: An Analytical Study
    Patnaik, Akash ; Jaiswal, Neeraj K. ; et al.
    In: 2023 IEEE 23rd International Conference on Nanotechnology (NANO, 2023
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Carrier Dynamics in AlxGa 1-x As/InAs-Based Photon Up-Conversion Solar Cells with a Doubled-Heterointerface
    Mahamu, Hambalee ; Asahi, Shigeo ; et al.
    In: 2023 IEEE 50th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC, 2023
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    AlN-capped P-(AlxGal-x) 2 O 3 /Ga 2 O 3 heterostructure field-effect transistors for near-junction thermal management of next generation power devices
    Lundh, James Spencer ; Masten, Hannah N. ; et al.
    In: 2022 Device Research Conference (DRC, 2022
    Online Konferenz
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    Volltext
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    Mathematical Modelling of β-(AlxGal-x)2O3/Ga2O3 Heterostructure
    Multani, Devinderjit ; Bag, Ankush ; et al.
    In: 2022 IEEE International Conference on Emerging Electronics (ICEE, 2022
    Online Konferenz
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    Room temperature THz intersubband transitions in continuously-graded AlxGa1-xAs parabolic quantum wells
    Deimert, C. ; Goulain, P. ; et al.
    In: 2019 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz, 2019
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Design and Demonstration of (AlxGal-x) 2 O 3 /Ga 2 O 3 Double Heterostructure Field Effect Transistor (DHFET)
    Zhang, Yuewei ; Xia, Zhanbo ; et al.
    In: 2018 76th Device Research Conference (DRC, 2018
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Remotely sensed surface characteristics of three deserts in the Alxa Plateau, Inner Mongolia, China
    Liu, Qingsheng ; Liu, Gaohuan ; et al.
    In: 2017 IEEE International Geoscience and Remote Sensing Symposium (IGARSS, 2017
    Online Konferenz
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    Volltext
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    Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on the Si-doping effects in high AlN mole fraction AlxGa1−xN multiple quantum wells grown on an AlN template by metalorganic vapor phase epitaxy
    Chichibu, S. F. ; Ishikawa, Y. ; et al.
    In: 2015 15th International Workshop on Junction Technology (IWJT, 2015
    Online Konferenz
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    The Construction of Mongolian Lexical Semantic Database about Alxa Camel Culture
    Buyinqiqige ; Hasi
    In: 2015 8th International Conference on Intelligent Networks and Intelligent Systems (ICINIS, 2015
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characteristics of quaternary AlxInyGa(1−x−y)N/ InGaN heterostructure varying the composition of aluminium and indium
    Sara, Kamatol Hasnat ; Islam, Monami ; et al.
    In: 2015 International Conference on Electrical & Electronic Engineering (ICEEE, 2015
    Online Konferenz
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    Plasma etching of ALX 2010 polymer for WLP applications
    Gluck, B. ; Truong, L. ; et al.
    In: 2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble (ISCDG, 2012
    Online Konferenz
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    Response on Land Desertification to Dust Storm in Recent 45a in Alxa Plateau
    Xiao, Li Chun ; Bao, Dong Zhi ; et al.
    In: 2012 International Conference on Biomedical Engineering and Biotechnology, 2012
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Cathodoluminescent spectroscopy and electric properties of MODFETs of AlxGa1−xN/GaN at impact of proton irradiation 1.8 MeV
    Bataiev, M. M. ; Brillson, L. J.
    In: 2010 20th International Crimean Conference "Microwave & Telecommunication Technology", 2010
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Manufacturability and reliability study of ALX polymers for WLP applications
    Huffman, Alan ; Garrou, Philip ; et al.
    In: 2010 Proceedings 60th Electronic Components and Technology Conference (ECTC, 2010
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Process of new negative photo-dielectric polymer ALX with high reliability
    Wang, Orson ; Eriguchi, Takeshi ; et al.
    In: 2010 12th Electronics Packaging Technology Conference, 2010
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    AlxSiyNz passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
    Brown, Richard J. ; Harvard, Ekaterina ; et al.
    In: 2009 Device Research Conference, 2009
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Magnetotransport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures under illumination
    Tang, Ning ; Shen, Bo ; et al.
    In: 2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008
    Online Konferenz
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    Effect of Interface Microrelief on Optical, Electrical and Photoelectric Characteristics of Heteroepitaxial AlxGa1-xAs/GaAs Structures
    Dmitruk, N.L. ; Borkovskaya, O. ; et al.
    In: 2006 25th International Conference on Microelectronics, 2006
    Online Konferenz
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    Growth of Cu In1-x Alx Se2 Thin Films by Selenization of Metallic Precursors in Se Vapor
    Yun, Jae ; Chalapathy, R.B.V. ; et al.
    In: 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conference, 2006
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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