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    Mechanical Properties and Creep Behavior of Undoped and Mg-Doped GaN Thin Films Grown by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition.
    Khalfallah, Ali ; Benzarti, Zohra
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-06-01), Heft 6, S. 1111-1124
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Understanding the influence of physical properties on the mechanical characteristics of Mg-doped GaN thin films.
    Benzarti, Z. ; Khalfallah, A. ; et al.
    In: Materials Chemistry & Physics, Jg. 307 (2023-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
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    The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire.
    Peng, Liyuan ; Liu, Shuangtao ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 135 (2021-11-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Various types of GaN/InGaN nanostructures grown by MOCVD on Si(111) substrate.
    Rozhavskaya, Mariya M. ; Lundin, Wsevolod V. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 10 (2013-03-01), Heft 3, S. 441-444
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Low Carbon n-GaN Drift Layers for Vertical Power Electronic Devices
    Carlson, Eric Paul ; Materials Science and Engineering ; et al.
    2023
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Basic studies of gallium Nitride growth on Sapphire by metalorganuc Chemical Vapor Deposition and optical properties of deposited layers ; Grundlagenuntersuchungen zur MOCVD-Züchtung von Gallium-Nitrid auf Saphir und optische Eigenschaften von deponierten Schichten
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    1995
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Growth of network structured carbon-doped GaN (GaN:C) nanowires using a modified metal-organic chemical vapor deposition.
    Kim, Hong Tak ; Kim, Chan-Duk ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 123 (2016), S. 82-85
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effects of reaction-kinetic parameters on modeling reaction pathways in GaN MOVPE growth
    Zhang, Hong ; Zuo, Ran ; et al.
    In: SCI, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GROWTH OF GAN
    LU, DC ; WANG, D ; et al.
    1995
    unknown
    Wie komme ich dran?

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