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    The effect of Fe<subscript>Ga</subscript> (0/–) level presence on material properties in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N layers.
    Sun, L. ; Kruszewski, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-05-07), Heft 17, S. 1-7
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    Atomic and electronic origin of robust off-state insulation properties in Al-rich Al<subscript>x</subscript>Te<subscript>y</subscript> glass for ovonic threshold switching applications.
    Li, Xiao-Dong ; Tian, Maoan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-28), Heft 20, S. 1-9
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    Ab initio study of effects of Al on the defect behaviors of Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi high entropy alloys.
    Shu, Yue ; Wang, Rui ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-06-07), Heft 21, S. 1-12
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    High-quality β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films on sapphire substrates by face-to-face annealing.
    Wu, Songhao ; Ma, Chicheng ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 26 (2024-05-21), Heft 19, S. 2544-2550
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    Characteristics of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> dual-metal gate modulation-doped field-effect transistors simulated by TCAD.
    Jia, Xiaole ; Wang, Yibo ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics, Jg. 42 (2024-05-01), Heft 3, S. 1-7
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    Reduced temperature in lateral (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterojunction field effect transistor capped with nanocrystalline diamond.
    Masten, Hannah N. ; Lundh, James Spencer ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-04-08), Heft 15, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Crystallographic and band structure analysis of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/β-(In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin film grown on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> substrate via mist CVD
    Kaneko, Masahiro ; Nishinaka, Hiroyuki ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-6
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    Epitaxial growth of α-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by suboxide molecular-beam epitaxy at 1 µm/h.
    Steele, Jacob ; Azizie, Kathy ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 12 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-12
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    Room temperature two-dimensional electron gas scattering time, effective mass, and mobility parameters in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN heterostructures (0.07 ≤ x ≤ 0.42).
    Knight, Sean ; Richter, Steffen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-14), Heft 18, S. 1-12
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    Insight into microstructure evolution on anti-corrosion property of Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNiC<subscript>0.01</subscript> high-entropy alloys using scanning vibration electrode technique.
    Liao, Bo-Kai ; Liang, Zhan-Xiang ; et al.
    In: Rare Metals, Jg. 42 (2023-10-01), Heft 10, S. 3455-3467
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    Paleoproterozoic ultrahigh‐temperature mafic granulites with a high‐pressure prograde path from the Alxa Block: Implications on the tectonic evolution of the Khondalite Belt, North China Craton.
    Zou, Lei ; Guo, Jing‐Hui ; et al.
    In: Journal of Metamorphic Geology, Jg. 42 (2024-05-01), Heft 4, S. 551-581
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    Bandgap engineering and Schottky barrier modulation of ultra-wide bandgap Si-doped β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> single crystals.
    Liu, Yiyuan ; He, Qiming ; et al.
    In: Journal of Materials Chemistry C, Jg. 12 (2024-04-21), Heft 15, S. 5631-5638
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    In situ MOCVD growth and band offsets of Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> dielectric on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> and β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-10-28), Heft 16, S. 1-13
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    New Magnetotelluric Data Reveal Deep Fault Boundaries and Contrasting Late Cenozoic Fault Kinematics Between the Qilian Shan Thrust Wedge and Beishan‐Alxa Block, Western China.
    Yang, Haibo ; Sun, Xiangyu ; et al.
    In: Geophysical Research Letters, Jg. 51 (2024-03-16), Heft 5, S. 1-11
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    Investigation of the surface band structure and the evolution of defects in β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>.
    Li, J. ; Chen, X. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-03-11), Heft 11, S. 1-6
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    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN HEMT.
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-7
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    Alloying enhanced negative Poisson's ratio in two-dimensional aluminum gallium nitride (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N).
    Wang, Xiaoxia ; Tang, Zhunyun ; et al.
    In: Physical Chemistry Chemical Physics (PCCP), Jg. 26 (2024-02-28), Heft 8, S. 7010-7019
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    Properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As grown from a mixed Ga–Bi melt.
    Khvostikova, Olga ; Vlasov, Alexey ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 14 (2024-01-16), Heft 1, S. 1-7
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    TFAP2 paralogs regulate midfacial development in part through a conserved ALX genetic pathway.
    Nguyen, Timothy T. ; Mitchell, Jennyfer M. ; et al.
    In: Development (09501991), Jg. 151 (2024), Heft 1, S. 1-19
    academicJournal
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    Influences of Al Additive on Mechanical Properties of WC–Al<subscript>x</subscript>FeCoCrNi Cemented Carbides.
    Zheng, Donghai
    In: Metallurgical & Materials Transactions. Part A, Jg. 55 (2024), Heft 1, S. 144-149
    Online academicJournal
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