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    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
    Online academicJournal
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    Influence of N<subscript>2</subscript> flux on the improvement of highly c-oriented GaN films on diamond substrates
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 85 (2011-01-21), Heft 7, S. 725-729
    Online academicJournal
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    Growth of network structured carbon-doped GaN (GaN:C) nanowires using a modified metal-organic chemical vapor deposition.
    Kim, Hong Tak ; Kim, Chan-Duk ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 123 (2016), S. 82-85
    Online academicJournal
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