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    Features of Optical Gain in Heavily Doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>N:Si-Structures
    Bokhan, P. A. ; Zhuravlev, K. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 47 (2021-09-01), Heft 9, S. 692-695
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Al<subscript>x</subscript>In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1 – x – y</subscript>P<subscript>z</subscript>As<subscript>1 – z</subscript>/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters
    Lunin, L. S. ; Lunina, M. L. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 48 (2022-02-01), Heft 2, S. 82-85
    Online academicJournal
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    Optical Gain in Heavily Doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>N:Si Structures
    Bokhan, P. A. ; Zhuravlev, K. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 45 (2019-09-01), Heft 9, S. 951-954
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Elemental and Structural Mapping of Czochralski-Grown Bulk (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Crystals
    Bauman, D. A. ; P’yankova, L. A. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 47 (2021-03-01), Heft 3, S. 218-221
    Online academicJournal
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    The Effect of Charge Transport Mechanisms on the Efficiency of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 – x</subscript>As/GaAs Photodiodes
    Kalinovskii, V. S. ; Kontrosh, E. V. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 44 (2018-11-01), Heft 11, S. 1013-1016
    Online academicJournal
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    Determination of Some Photoluminescence Parameters of Ca(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>S<subscript>4</subscript>:Eu<superscript>2+</superscript>
    Asadov, E. G. ; Gadzhieva, G. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 45 (2019-02-01), Heft 2, S. 79-81
    Online academicJournal
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    Al<subscript>x</subscript>In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1 – x – y</subscript>P<subscript>z</subscript>As<subscript>1 – z</subscript>/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters.
    Lunin, L. S. ; Lunina, M. L. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 48 (2022-02-01), Heft 2, S. 82-85
    Online academicJournal
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    Features of Optical Gain in Heavily Doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>N:Si-Structures.
    Bokhan, P. A. ; Zhuravlev, K. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 47 (2021-09-01), Heft 9, S. 692-695
    Online academicJournal
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    Optical Gain in Heavily Doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>N:Si Structures.
    Bokhan, P. A. ; Zhuravlev, K. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 45 (2019-09-01), Heft 9, S. 951-954
    Online academicJournal
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    Elemental and Structural Mapping of Czochralski-Grown Bulk (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Crystals.
    Bauman, D. A. ; P'yankova, L. A. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 47 (2021-03-01), Heft 3, S. 218-221
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    The Effect of Charge Transport Mechanisms on the Efficiency of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 - x</subscript>As/GaAs Photodiodes.
    Kalinovskii, V. S. ; Kontrosh, E. V. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 44 (2018-11-01), Heft 11, S. 1013-1016
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    Use of high-purity Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>as layers in epitaxial structures for high-power microwave field-effect transistors
    Zhuravlev, K. S. ; Toropov, A. I. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 25 (1999-08-01), Heft 8, S. 595-597
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    Photoluminescence properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As epitaxial layers grown under conditions of ultrafast flux cooling
    Abramov, A. V. ; Deryagin, A. G. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 23 (1997-03-01), Heft 3, S. 172-174
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    Determination of Some Photoluminescence Parameters of Ca(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>S<subscript>4</subscript>:Eu<superscript>2+</superscript>.
    Asadov, E. G. ; Gadzhieva, G. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 45 (2019-02-01), Heft 2, S. 79-81
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    Determination of Some Photoluminescence Parameters of Ca(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>S<subscript>4</subscript>:Eu<superscript>2+</superscript>.
    Asadov, E. G. ; Gadzhieva, G. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 45 (2019-02-01), Heft 2, S. 79-81
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