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    Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows
    Qiu, Xinjia ; Lv, Zesheng ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 131 (2019-07-01), S. 59-65
    Online academicJournal
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    Modelling and simulation of tri-material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET using Legendre Wavelets for analog/RF applications
    Ramesh, R. ; Bhattacharyya, A.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 97 (2016-09-01), S. 575-585
    Online academicJournal
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    A two dimensional analytical modeling of surface potential in triple metal gate (TMG) fully-depleted Recessed-Source/Drain (Re-S/D) SOI MOSFET
    Priya, Anjali ; Mishra, Ram Awadh
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 92 (2016-04-01), S. 316-329
    Online academicJournal
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    Numerical modeling on the optical characteristics of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET
    Ramesh, R. ; Madheswaran, M. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 85 (2015-09-01), S. 418-432
    Online academicJournal
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    Numerical modeling of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET considering quantum mechanical effects
    Padmanaban, B. ; Ramesh, R. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 82 (2015-06-01), S. 40-54
    Online academicJournal
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