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    Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows.
    Qiu, Xinjia ; Lv, Zesheng ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 131 (2019-07-01), S. 59-65
    Online academicJournal
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    Modelling and simulation of tri-material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET using Legendre Wavelets for analog/RF applications.
    Ramesh, R. ; Bhattacharyya, A.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 97 (2016-09-01), S. 575-585
    Online academicJournal
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    A two dimensional analytical modeling of surface potential in triple metal gate (TMG) fully-depleted Recessed-Source/Drain (Re-S/D) SOI MOSFET.
    Priya, Anjali ; Mishra, Ram Awadh
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 92 (2016-04-01), S. 316-329
    Online academicJournal
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    Numerical modeling of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET considering quantum mechanical effects.
    Padmanaban, B. ; Ramesh, R. ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 82 (2015-06-01), S. 40-54
    Online academicJournal
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    Numerical modeling on the optical characteristics of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET.
    Ramesh, R. ; Madheswaran, M. ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 85 (2015-09-01), S. 418-432
    Online academicJournal
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    Impact of gate engineering in enhancement mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs.
    Adak, Sarosij ; Swain, Sanjit Kumar ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 100 (2016-12-01), S. 306-314
    Online academicJournal
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    Analytical modeling and simulation of a triple metal vertical TFET with hetero-junction gate stack.
    Gupta, Shilpi ; Wairya, Subodh ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 157 (2021-09-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    The contribution of AsH3: Pre-flow and V/III ratio effects on heteroepitaxially grown GaAs/Ge.
    Demir, Ilkay
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 128 (2019-04-01), S. 1-8
    Online academicJournal
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    On the determination of alloy composition using optical spectroscopy in MOVPE grown InGaN layers on Si(111).
    Singh, Vikash K. ; Taya, Payal ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 134 (2019-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    The self-compensation effect of heavily Mg doped p-GaN films studied by SIMS and photoluminescence.
    Qi, H.R. ; Zhang, S. ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 133 (2019-09-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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