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    Electron-Population Bragg Grating Induced in an Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>As–GaAs–Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>As Heterostructure by Intrinsic Stimulated Picosecond Emission
    Ageeva, N. N. ; Bronevoi, I. L. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 54 (2020-10-01), Heft 10, S. 1205-1214
    Online academicJournal
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    Change in the Character of Biaxial Stresses with an Increase in x from 0 to 0.7 in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 – x</subscript>N:Si Layers Obtained by Ammonia Molecular Beam Epitaxy
    Ratnikov, V. V. ; Sheglov, M. P. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018-02-01), Heft 2, S. 221-225
    Online academicJournal
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    Vegard’s law and superstructural phases in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As/GaAs(100) epitaxial heterostructures
    Domashevskaya, É. P. ; Seredin, P. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 39 (2005-03-01), Heft 3, S. 336-342
    Online academicJournal
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    Special features of electron scattering at Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As/AlAs(001) interfaces
    Grinyaev, S. N. ; Karavaev, G. F. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 37 (2003-04-01), Heft 4, S. 417-425
    Online academicJournal
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    Infrared reflectance spectra and morphologic features of the surface of epitaxial Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As/GaAs(100) heterostructures with the ordered AlGaAs<subscript>2</subscript> phase
    Domashevskaya, É. P. ; Seredin, P. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 40 (2006-04-01), Heft 4, S. 406-413
    Online academicJournal
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    Internal microstrain and distribution of composition and cathodoluminescence over lapped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>N epilayers on sapphire
    Usikov, A. S. ; Tret’yakov, V. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000-11-01), Heft 11, S. 1248-1254
    Online academicJournal
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    Size effect in two-photon absorption of recombination radiation in graded-gap Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As solid solutions
    Kovalenko, V. F. ; Shutov, S. V.
    In: Semiconductors, Jg. 37 (2003), Heft 1, S. 38-43
    Online academicJournal
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    Electron states in (AlAs)<subscript>M</subscript>(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As)<subscript>N</subscript> superlattices
    Karavaev, G. F. ; Chernyshov, V. N. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 36 (2002-06-01), Heft 6, S. 670-673
    Online academicJournal
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    Nonlinear photoluminescence of graded-gap Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As solid solutions
    Kovalenko, V. F. ; Mironchenko, A. Yu. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 36 (2002-05-01), Heft 5, S. 481-486
    Online academicJournal
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    Stimulation of luminescence in graded-gap Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As semiconductors
    Požela, K. ; Bendorius, R. A. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000-11-01), Heft 11, S. 1290-1294
    Online academicJournal
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    Special features of the electron-electron interaction in the potential of a heavily doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As:Si/GaAs heterojunction
    Kadushkin, V. I.
    In: Semiconductors, Jg. 39 (2005-02-01), Heft 2, S. 226-230
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    Band structure and spatial charge distribution in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>N
    Deibuk, V. G. ; Voznyi, A. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000), Heft 1, S. 35-39
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Ellipsometric study of ultrathin Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As layers
    Sukhorukova, M. V. ; Skorokhodova, I. A. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000), Heft 1, S. 56-60
    Online academicJournal
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    Features of optical properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>N solid solutions
    Deibuk, V. G. ; Voznyi, A. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 36 (2002-04-01), Heft 4, S. 398-403
    Online academicJournal
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    Cathodoluminescence and Raman scattering in Ga<subscript>1−x </subscript>Al<subscript>x</subscript>P epitaxial films
    Vodop’yanov, L. K. ; Kozlovskii, V. I. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000-04-01), Heft 4, S. 405-409
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    Negative dynamic differential conductivity at the cyclotron frequency in Ga<subscript>1−x </subscript>Al<subscript>x</subscript>As under conditions of ballistic intervalley electron transfer
    Dzamukashvili, G. É. ; Kachlishvili, Z. S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 32 (1998-02-01), Heft 2, S. 148-153
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    Quasiballistic model of current transport and formation of the S-type current-voltage characteristic in the lightly doped, double-barrier heterostructure Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As-GaAs-AlAs
    Belyantsev, A. M. ; Romanova, Yu. Yu.
    In: Semiconductors, Jg. 31 (1997), Heft 1, S. 81-83
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    Evolution of static negative differential conductivity in Ga<subscript>1−x </subscript>Al<subscript>x</subscript>As as a function of the transverse magnetic field and the composition of the solid solution
    Dzamukashvili, G. É. ; Kachlishvili, Z. S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 31 (1997-08-01), Heft 8, S. 841-843
    Online academicJournal
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