Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
36 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Sprache

Inhaltsanbieter

36 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1−xN/GaN heterostructures.
    Feng, Yuxia ; Liu, Guipeng ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 29 (2014-04-01), Heft 4, S. 45015-45018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Spin phenomena in asymmetrical [0 0 1] GaAs/Al<subscript>x</subscript> Ga<subscript>1-x</subscript> As quantum wells.
    Tronc, P.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 27 (2012-05-01), Heft 5, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Spin lifetime from Hanle-effect measurements in samples with InAs quantum dots embedded in different Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As matrices.
    Fürst, J ; Pascher, H ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 20 (2005-02-01), Heft 2, S. 209-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Comparative Study on Graded-Barrier AlxGa1−xN/AlN/GaN/Si Metal-Oxide-Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistor by Using Ultrasonic Spray Pyrolysis Deposition Technique.
    Lee, Ching-Sung ; Hsu, Wei-Chou ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 33 (2018-06-01), Heft 6, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Schottky barrier height of Ni to β-(AlxGa1−x)2O3 with different compositions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
    Ahmadi, Elaheh ; Oshima, Yuichi ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 32 (2017-03-01), Heft 3, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    First-principles investigation of lattice constants and bowing parameters in wurtzite AlxGa1−xN, InxGa1−xN and InxAl1−xN alloys.
    Dridi, Z. ; Bouhafs, B. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-09-01), Heft 9, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    High-speed characterization of solar-blind AlxGa1−xN p–i–n photodiodes.
    Biyikli, N. ; Kimukin, I. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 19 (2004-11-01), Heft 11, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Deep level transient spectroscopy of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As/GaAs single-quantum-well lasers.
    Zdansky, K ; Gorodynskyy, V ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 20 (2005-02-01), Heft 2, S. 256-256
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Control of complex quantum structures in droplet epitaxy.
    Chawner, J M A ; Chang, Y ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 34 (2019-09-01), Heft 9, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Critical layer thickness of wurtzite heterostructures with arbitrary pairs of growth planes and slip systems.
    Ichikawa, Shuhei ; Funato, Mitsuru ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 36 (2021-08-01), Heft 8, S. 1-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effects of AlInN graded polarization-dependent doped top cladding on the performance of deep ultra-violet laser diode emitting at ∼271 nm wavelength.
    Paliwal, Avinash ; Singh, Kuldip ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 36 (2021), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Al<subscript>0.6</subscript>Ga<subscript>0.4</subscript>As x-ray avalanche photodiodes for spectroscopy.
    Whitaker, M D C ; Lioliou, G ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-09-01), Heft 9, S. 1-15
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Carrier recombination dynamics in Ga<subscript>0.51</subscript>In<subscript>0.49</subscript>P double-heterostructures up to 500 K.
    Walker, Alexandre W ; Shaked, Amit ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-07-01), Heft 7, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Carrier recombination dynamics in Ga<subscript>0.51</subscript>In<subscript>0.49</subscript>P double-heterostructures up to 500 K.
    Walker, Alexandre W ; Shaked, Amit ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-05-01), Heft 5, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effect of quantum barrier composition on electro-optical properties of AlGaN-based UVC light emitting diodes.
    Guttmann, Martin ; Höpfner, Jakob ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 34 (2019-08-01), Heft 8, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electrical properties and microstructure of vanadium-based contacts on ICP plasma etched n-type AlGaN:Si and GaN:Si surfaces.
    Lapeyrade, Mickael ; Muhin, Anton ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 28 (2013-12-01), Heft 12, S. 125015-125022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Optical fingerprints of Y2 ordering in III-V ternary semiconductor alloys.
    Chen, Dongguo ; Ravindra, N. M.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 28 (2013-06-01), Heft 6, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Integrated AlGaN quadruple-band ultraviolet photodetectors.
    Gökkavas, Mutlu ; Butun, Serkan ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 27 (2012-06-01), Heft 6, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A model for scattering due to interface roughness in finite quantum wells.
    J JML Li ; J JJW Wu ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 20 (2005-12-01), Heft 12, S. 1207-1212
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Transition from two-dimensional to three-dimensional electroabsorption in extremely shallow quantum wells.
    Chen, X. ; Allsopp, D. W. E. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 19 (2004-02-01), Heft 2, S. 263-269
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -