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    1993 International Workshop On VLSI Process And Device Modeling (1993 VPAD) [front matter].
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. i- (11S.)
    Online Konferenz
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    Energy Broadening Associated With Finite Collision Duration In Hot Carrier Transport In Semiconductors.
    Sano, N.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 162-165
    Online Konferenz
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    A Simulation Strategy For Process Optimization.
    De Meyer, K.M. ; Cartuyvels, R. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 80-83
    Online Konferenz
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    Modelling Of Surface Reactions For Predicting Dry-etched Profiles.
    Harafuji, K. ; Misaka, A. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 76-79
    Online Konferenz
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    Multipole Accelerated 3-D Interconnect Analysis.
    Nabors, K. ; Karnon, M. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 72-75
    Online Konferenz
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    Mechanical Stress Design System For Semiconductor Devices.
    Miura, H. ; Saito, N. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 60-63
    Online Konferenz
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    Equipment Simulation - State Of The Art And Future Challenges.
    Werner, C.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 6-9
    Online Konferenz
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    Consistent Quantitative Models For The Coupled Diffusion Of Dopants And Point Defects In Silicon.
    Dunham, S.T.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 46-49
    Online Konferenz
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    Monte Carlo Simulation Of Silicon Devices.
    Lee, C.H. ; Ravaioli, U.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 36-39
    Online Konferenz
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    Simulation Of ULSI Silicon MOSFETs.
    Pinto, M.R. ; Bude, J. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 22-25
    Online Konferenz
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    Algorithms And TCAD Software Using Parallel Computation.
    Dutton, R.W.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 10-12
    Online Konferenz
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    Unified Set Of Models For Minority Carrier Transport Parameters In Heavily Doped Monosilicon And Polysilicon.
    Johnson, M. ; Strojwas, A.J. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 178-179
    Online Konferenz
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    Non-universal Roll-off Of MOSFET Mobility And V/sub DS/ Effect In Mobility Measurement.
    Nishinohara, K. ; Tanimoto, H. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 176-177
    Online Konferenz
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    Efficient Deep-submicron Flash-EPROM Device Simulation Using Energy Transport Model.
    Peng, J.Z.Z. ; Longeor, S. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 168-169
    Online Konferenz
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    Theoretical Analysis Of Transconductance Enhancement Due To Electron Concentration Dependent Screening In Heavily Doped Systems.
    Ho, Shirun ; Moriyoshi, A. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 174-175
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    Influence Of Energy Transport Related Effects On NPN BJT Device Performance And ECL Gate Delay Analyzed By 2D Parallel Mixed Level Device/circuit Simulation.
    Stecher, M. ; Meinerzhagen, B. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 170-171
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    A Study Of Injection Conditions In The Substrate Hot Electron Induced Degradation Of n-MOSFETs.
    Selmi, L. ; Fiegna, C. ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 156-157
    Online Konferenz
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    A Non-local Formulation Of Impact Ionization For Silicon.
    Scrobohaci, P. ; Tang, Ting-wei
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 172-173
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    Integrated Modeling Of The A1GaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor.
    Desai, N.R. ; Van Hoang, K.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 158-159
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    A Simple Hot Electron Transport Model And Its Prediction Of Si-SiO/sub 2/ Injection Probability.
    Jin, Gyo-young ; Park, Young-june ; et al.
    In: Proceedings 1993 International Workshop on VLSI Process & Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 166-167
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