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    Molecular beam epitaxy of free-standing bulk wurtzite Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers using a highly efficient RF plasma source.
    Novikov, S. V. ; Staddon, C. R. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 13 (2016-05-01), Heft 5/6, S. 217-220
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The effects of Al on the neutral Mg acceptor impurity in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N.
    Sunay, U. R. ; Zvanut, M. E. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 12 (2015-04-01), Heft 4/5, S. 357-360
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    cur Exciton recombination in spontaneously formed and artificial quantum wells Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-y</subscript>N (x<y~0.8).
    Toropov, A. A. ; Shevchenko, E. A. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 13 (2016-05-01), Heft 5/6, S. 232-238
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOVPE growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N with x ∼ 0.5 on epitaxial laterally overgrown AlN/sapphire templates for UV-LEDs.
    Knauer, A. ; Zeimer, U. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 377-380
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Solar-blind Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N MSM photodetectors on patterned AlN/sapphire templates with 0.4 < x < 1.
    Knigge, A. ; Brendel, M. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 802-805
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Pulsed modulation doping of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N (x>0.6) AlGaN epilayers for deep UV optoelectronic devices.
    Chen, Hung-Chi ; Ahmad, Iftikhar ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 408-411
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Minority carrier diffusion length in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N (x = 0.1) grown by ammonia molecular beam epitaxy.
    Malin, Timur ; Gilinsky, Alexander ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 12 (2015-04-01), Heft 4/5, S. 447-450
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Pseudomorphic Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N MQW based deep ultraviolet light emitting diodes over sapphire.
    Asif, Fatima ; Chen, Hung-Chi ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 798-801
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The effect of growth parameters on the Mg acceptor in In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N:Mg and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N:Mg.
    Zvanut, M. E. ; Willoughby, W. R. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014-04-01), Heft 3/4, S. 594-597
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The quantum-confined Stark effect and localization of charge carriers in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-y</subscript>N quantum wells with different morphologies.
    Shevchenko, E. A. ; Jmerik, V. N. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 10 (2013-03-01), Heft 3, S. 319-322
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    MBE growth of cubic Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1-x</subscript>N and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>y</subscript>In<subscript>1-x-y</subscript>N lattice matched to GaN.
    As, D. J. ; Schnietz, M. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 4 (2007-06-01), Heft 7, S. 2318-2321
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Photoluminescence properties of Al-rich Al<subscript>X</subscript>Ga<subscript>1-X</subscript>N grown on AlN/sapphire template by MOCVD.
    Zeng, Jianping ; Yan, Jianchang ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 9 (2012-03-01), Heft 3/4, S. 733-736
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Surface properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures treated by fluorine plasma: an XPS study.
    Huang, Sen ; Chen, Hongwei ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 8 (2011-07-01), Heft 7/8, S. 2200-2203
    academicJournal
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    Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N-based avalanche photodiodes with high reproducible avalanche gain.
    Tut, Turgut ; Gokkavas, Mutlu ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 5 (2008-05-15), Heft 6, S. 2316-2319
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High sensitivity of photoluminescence- excitation spectroscopy for probing effects of plasma-induced surface damages on carrier transport in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Takeuchi, H. ; Shirahama, T. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 5 (2008-05-15), Heft 6, S. 1525-1528
    academicJournal
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    Subband structure and transport properties of two-dimensional electron gas in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Han, Xiuxun ; Honda, Yoshio ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 4 (2007-06-01), Heft 7, S. 2334-2337
    academicJournal
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    Mg-doped high-quality Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N (x=0-1) grown by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy.
    Imura, M. ; Kato, N. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 4 (2007-06-01), Heft 7, S. 2502-2505
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Magneto-quantum transport in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As<subscript>y</subscript>Sb<subscript>1-y</subscript>/InAs quantum wells.
    Ishida, S. ; Fujimoto, A. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 4 (2007-02-01), Heft 2, S. 325-328
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effect of temperature on the electronic structure in n-modulation-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>(1-x)</subscript>As/GaAs heterostructure.
    Dakhlaoui, H. ; Jaziri, S.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 3 (2006-09-15), Heft 9, S. 3316-3320
    academicJournal
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    Optical characteristics of two-dimensional electrons in single and multiple Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Kim, Sun-Mo ; Kwack, Ho-Sang ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 3 (2006-06-01), Heft 6, S. 2113-2116
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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