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    Photocurrent enhancement of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N nanowire arrays photodetector based on coupling effects of pn junction and gradient component.
    Xia, Sihao ; Diao, Yu ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-09-17), Heft 38, S. 1-9
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    Highly efficient, spectrally pure 340 nm ultraviolet emission from Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N nanowire based light emitting diodes.
    Wang, Q. ; Connie, A. T. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-08-30), Heft 34, S. 1-6
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    Erratum: Comprehensive analysis of the self-assembled formation of GaN nanowires on amorphous AlxOy: in situ quadrupole mass spectrometry studies (2019 Nanotechnology 30 154002).
    Sobanska, M ; Z R Zytkiewicz ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-08-09), Heft 32, S. 1-1
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    Deep ultraviolet emitting polarization induced nanowire light emitting diodes with AlxGa1−xN active regions.
    Thomas F Kent ; Santino D Carnevale ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 25 (2014-11-14), Heft 45, S. 1-1
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    Tuning the photoluminescence by engineering surface states/size of S, N co-doped carbon dots for cellular imaging applications.
    Sonsin, AF ; Silva, ECO ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-03-17), Heft 23
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    Tuning electrical and thermal conductivities of the two-dimensional electron gas in AlN/GaN heterostructures by piezoelectricity.
    Abou-Hamdan, L ; Hamyeh, S ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 52 (2021-03-12), Heft 11, S. 1-10
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    Internal quantum efficiency of AlGaN/AlN quantum dot superlattices for electron-pumped ultraviolet sources.
    Harikumar, A ; Donatini, F ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-12-11), Heft 50, S. 1-12
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    Assessment of AlGaN/AlN superlattices on GaN nanowires as active region of electron-pumped ultraviolet sources.
    Dimkou, I ; Harikumar, A ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-05-15), Heft 20, S. 1-15
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