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    Low Temperature Laser-Assisted Gas Phase Reactivity of TMGa with NH<subscript>3</subscript> and Oxygen-Containing Compounds (H<subscript>2</subscript>O, CH<subscript>3</subscript>OH, O(CH<subscript>3</subscript>)<subscript>2</subscript>) in Constrained Pulsed Expansions
    Demchuk, Alexander ; Lynch, Michael ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 743 (2002-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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    Effect of TMG Addition on the Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si(100) and Si(111) Using Hexamethyldisilane
    Lee, Ki Hoon ; Teker, Kasif ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 640 (2000-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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    PECVD Synthesis of Silicon Nanowires Assisted by Templates of Gallium Islands
    Gewalt, Annika ; Kalkofen, Bodo ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 1258 (2010-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Comparison of Different Substrate Pre-Treatments on the Quality of GaN Film Growth on 6H-, 4H-, and 3C-SiC
    Lee, K. H. ; Hong, M. H. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 622 (2000-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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    Gallium Nitride Growth Using Diethylgallium Chloride as an Alternative Gallium Source
    Zhang, Ling ; Zhang, Rong ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 537 (1998-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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    GaN/SiC Epitaxial Growth for High Power and High Switching Speed Device Applications
    Sun, Zheng ; Usami, Shigeyoshi ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 1736 (2014-12-01), Heft 1, S. 65-69
    Online academicJournal
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    Thermoelectric Properties of Semiconducting Intermetallic Compounds: FeGa<subscript>3</subscript> and RuGa<subscript>3</subscript>
    Amagai, Y. ; Yamamoto, A. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 793 (2003-12-01), Heft 1, S. 359-364
    Online academicJournal
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    Double pendeo-epitaxial growth of GaN films with low density of threading dislocation
    Hong, Y. K. ; Jung, H. S. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 693 (2001-12-01), Heft 1, S. 394-399
    Online academicJournal
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    Robust Reaction-Transport Models of MOVPE Reactors
    Theodoropoulos, C. ; Moffat, H. K. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 490 (1997-12-01), Heft 1, S. 155-160
    Online academicJournal
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    Toward Growing III-V Clusters with Metalorganic Precursors
    Demchuk, A. ; Porter, J. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 468 (1997-12-01), Heft 1, S. 45-50
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Pulsed Operation of Cleaved-Facet InGaN Laser Diodes
    Sink, R.K. ; Abare, A.C. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 482 (1997-12-01), Heft 1, S. 1157-1162
    Online academicJournal
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    MOVPE Growth of GaPAsN Quaternary Alloys Lattice-Matched to GaP
    Biwa, Goshi ; Yaguchi, Hiroyuki ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 482 (1997-12-01), Heft 1, S. 259-264
    Online academicJournal
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    Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrate by Low Pressure MOCVD
    Ishida, M. ; Hashimoto, T. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 468 (1997-12-01), Heft 1, S. 69-74
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of Si nanowires by a modified VLS method using molten Ga as growth assistant
    Gewalt, Annika ; Kalkofen, Bodo ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 1144 (2008-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Optimization of GaN Barriers During the Growth of InGaN/GaN Quantum Wells at Low Temperature
    Kasarla, Kalyan R. ; Chiang, Wenyu ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 1108 (2008-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth and Characterization of InGaNAs Quaternary Alloys for the Fabrication of Long Wavelength MSM Photodetectors on GaAs Substrates
    Higgins, Erle ; Noad, Julian ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 891 (2005-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Control of indium surface segregation in GaAs layer on InGaP grown by MOVPE
    Fukushima, Y. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 744 (2002-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Properties of Delta Doped Al<subscript>0.25</subscript>Ga<subscript>0.75</subscript>N and GaN Epitaxial Layers
    Flynn, Jeffrey S. ; Wallace, Leah G. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 743 (2002-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Growth of High Nitrogen Content GaAsN by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Roberts, J. C. ; Moody, B. F. ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 692 (2001-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Nitride-Rich Hexagonal GaNP Growth Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Yoshida, Seikoh ; Itoh, Yoshiteru ; et al.
    In: MRS Online Proceedings Library, Jg. 639 (2000-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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