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    Formation of Spontaneous Lateral Heterostructures in High Al content Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N Alloys Grown by High-Temperature Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
    Sarney, Wendy L. ; Ji, Mihee ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 53 (2024-06-01), Heft 6, S. 2789-2797
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    Effects of Substrate Bias Voltage on Structural and Optical Properties of Co-Sputtered (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1–x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Films
    Gao, Yan ; Dong, Haitao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-11-01), Heft 11, S. 7429-7437
    Online academicJournal
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    Influence of Highly Efficient Carbon Doping on Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As Layers with Different Al Compositions (x) Grown by MOVPE
    Perkitel, Izel ; Kekül, Reyhan ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-09-01), Heft 9, S. 6042-6051
    Online academicJournal
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    Impact of Substrates on the Electronic and Mechanical Properties of Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1−x</subscript>P<subscript>y</subscript>Sb<subscript>1−y</subscript> Alloys
    Alfrnwani, O. A. ; Degheidy, A. R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 51 (2022-06-01), Heft 6, S. 3150-3161
    Online academicJournal
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    Role of Interface Induced Gap States in Polar Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N (0 ≤ x ≤ 1) Schottky Diodes
    Jadhav, Aakash ; Dai, Yijun ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 50 (2021-06-01), Heft 6, S. 3731-3738
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    Properties and use of ln<subscript>0.5</subscript>(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)<subscript>0.5</subscript>P and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript> as native oxides in heterostructure lasers
    Kish, F. A. ; Caracci, . J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-12-01), Heft 12, S. 1133-1139
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    Photoluminescences from Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>P liquid phase epitaxial layers
    Yu, T. J. ; Matsuo, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-10-01), Heft 10, S. 1101-1107
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    Acceptor and donor doping of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N thin film alloys grown on 6H-SiC(0001) substrates via metalorganic vapor phase epitaxy
    Bremser, M. D. ; Perry, W. G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-04-01), Heft 4, S. 229-232
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    MBE growth and properties of GaN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N on GaN/SiC substrates
    Johnson, M. A. L. ; Fujita, Shizuo ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), Heft 5, S. 793-797
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    Alkoxide precursors for controlled oxygen incorporation during metalorganic vapor phase epitaxy GaAs and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As growth
    Huang, J. W. ; Gaines, D. F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-07-01), Heft 7, S. 659-667
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    Reduction of deep levels in MOCVD-regrown Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as interfaces by (NH<subscript>4</subscript>)<subscript>2</subscript>S passivation and in-situ HCl etching
    Guel, G. ; Armour, E. A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1051-1056
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    Ultraviolet photoluminescence from undoped and zn doped Al<subscript>x</subscript>G<subscript>a1−x</subscript>N with x between 0 and 0.75
    Lee, H. G. ; Gershenzon, M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-10-01), Heft 10, S. 621-625
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    Effects of Substrate Bias Voltage on Structural and Optical Properties of Co-Sputtered (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1–x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Films.
    Gao, Yan ; Dong, Haitao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-11-01), Heft 11, S. 7429-7437
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    Influence of Highly Efficient Carbon Doping on Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As Layers with Different Al Compositions (x) Grown by MOVPE.
    Perkitel, Izel ; Kekül, Reyhan ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-09-01), Heft 9, S. 6042-6051
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    Electrical and optical characterization studies of lower dose Si-implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N
    Ryu, Mee-Yi ; Yeo, Y. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 35 (2006-04-01), Heft 4, S. 647-653
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    Study of optical and electrical properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>Sb grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Ramelan, A. H. ; Drozdowicz-Tomsia, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-08-01), Heft 8, S. 965-971
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