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    A comparison of TMG with TEG for the growth of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As
    Glew, Richard ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-01-07), Heft 1, S. 146-150
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    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI<subscript>4</subscript>-doped inGaAs
    Stockman, S. ; Hanson, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-08-06), Heft 8, S. 791-799
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    A study of parasitic reactions between NH3and TMGa or TMAI
    Chen, C. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), Heft 6, S. 1004-1008
    Online serialPeriodical
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    Properties of GaN epitaxial layers grown at high growth rates by metalorganic chemical vapor deposition
    Kokubun, Y. ; Nishio, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-01-27), Heft 1, S. 23-26
    Online serialPeriodical
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    Mass spectroscopy study of GaN metalorganic chemical vapor deposition
    Pakk, Yongjo ; Pavlidis, Dimitris
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-09-07), Heft 9, S. 1554-1560
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    Adjusting trimethylgallium injection time to explore atomic layer epitaxy of GaAs between 425 and 500°C by organometallic vapor phase epitaxy
    Wang, C. ; Tracy, D.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-02-07), Heft 2, S. 185-189
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    Decomposition studies of tertiarybutyldimethylantimony
    Cao, D. ; Chen, C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-06-07), Heft 6, S. 583-588
    Online serialPeriodical
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    Emission infrared spectroscopy for in situ analysis of the OMVPE growth surface
    Mazzarese, D. ; Jones, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 329-333
    Online serialPeriodical
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    Growth study of AlGaAs using dimethylethylamine alane as the aluminum precursor
    Hou, H. ; Breiland, W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-10-07), Heft 10, S. 1178-1183
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    Trisneopentylgallium as a precursor for atomic layer epitaxy of GaAs
    Yeo, P. ; Arès, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-10-07), Heft 10, S. 1174-1177
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    Tertiaybutyldimethylantimony for GaSb growth
    Chen, C. H. ; Chiu, C. T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993), Heft 1, S. 87-91
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    An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium
    Hess, K. L. ; Dapkus, P. D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982-11-01), Heft 6, S. 1115-1137
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    Growth of GaAs by vacuum atomic layer epitaxy using tertiarybutylarsine
    Jow, Ming Y. ; Maa, Bang Y. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995), Heft 1, S. 25-29
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    Dimethylarsine: Pyrolysis mechanisms and use for OMVPE growth
    Li, S. ; Larsen, C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-04-06), Heft 4, S. 299-304
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    RHEED and XPS observations of trimethylgallium adsorption on GaAs (001) surfaces—Relevance to atomic layer epitaxy
    Maa, B. ; Dapkus, P.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-04-06), Heft 4, S. 289-294
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    A comparative study of selective carbon doping in MOCVD GaAs using trimethylarsenic and arsine
    Moon, Hyukju J. ; Stoebe, Thomas G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-12-01), Heft 12, S. 1351-1355
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    Residual impurities in GaN/Al2O3grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Ishibashi, Akihiko ; Takeishi, Hidemi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), Heft 5, S. 799-803
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    In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium and ammonia
    Mazzarese, D. ; Tripathi, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), Heft 3, S. 369-377
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    MOCVD epitaxial growth of single crystal GaN, AlN and AlxGa1-xN
    Matloubian, M. ; Gershenzon, M.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 14 (1985-09-01), Heft 5, S. 633-644
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    Low pressure and low temperature gallium arsenide homoepitaxy employing in-situ generated arsine
    Pihlstrom, B. ; Sheng, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 277-279
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